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Low‐Dimensional Hybrid Perovskites for Field‐Effect Transistors with Improved Stability: Progress and Challenges
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2020-07-19 , DOI: 10.1002/aelm.202000137 Yuhang Liang 1 , Feng Li 1 , Rongkun Zheng 1
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2020-07-19 , DOI: 10.1002/aelm.202000137 Yuhang Liang 1 , Feng Li 1 , Rongkun Zheng 1
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Hybrid perovskites have attracted considerable attention due to their excellent optoelectronic properties and facile processing. Beyond their wide usage in various energy‐related devices and optoelectronic applications, in particular photovoltaic cells, these materials have also been employed as active candidates in field‐effect transistors (FETs). However, the low stability of these materials is still a substantial challenge for their applications and commercialization. Low‐dimensional (two‐ or quasi‐two‐) perovskites, which are formed by introducing larger organic amine groups into the perovskite structure, not only offer great potential for the development of high stability devices, but also achieve higher field‐effect mobility due to the low ion migrations at room temperature. To date, the emerging low‐dimensional perovskite FETs have already gained unprecedented developments. This review mainly summarizes and evaluates the recent progress on low‐dimensional perovskite FETs and proposes solutions for the possible challenges. First, along with the detailed comparisons, the advantages of low‐dimensional perovskites that can overcome the demerits of conventional 3D perovskites for FETs are presented in detail. Thereafter, the achievements and development of low‐dimensional perovskite‐based FETs are briefly reviewed, followed by the discussion of field‐effect mobility and other challenges and opportunities of low‐dimensional perovskites for FETs. Finally, a summary and outlook are given.
中文翻译：
适用于具有更高稳定性的场效应晶体管的低维混合钙钛矿：进展与挑战
杂化钙钛矿因其出色的光电性能和便捷的加工而备受关注。除了在各种能源相关设备和光电应用（尤其是光伏电池）中广泛使用以外，这些材料还被用作场效应晶体管（FET）的有效候选材料。然而，这些材料的低稳定性仍是其应用和商业化的重大挑战。通过将较大的有机胺基引入钙钛矿结构中而形成的低维（二维或准两维）钙钛矿不仅为开发高稳定性器件提供了巨大潜力，而且由于具有更高的场效应迁移率，在室温下离子迁移低。至今，新兴的低维钙钛矿FET已经获得了空前的发展。这篇综述主要总结和评估了低尺寸钙钛矿FET的最新进展，并提出了应对可能挑战的解决方案。首先，连同详细的比较，详细介绍了低维钙钛矿的优势，这些优势可以克服FET的传统3D钙钛矿的缺点。此后，简要回顾了低维钙钛矿基FET的成就和发展，然后讨论了场效应迁移率以及低维钙钛矿FET的其他挑战和机遇。最后，给出了总结和展望。这篇综述主要总结和评估了低尺寸钙钛矿FET的最新进展，并提出了应对可能挑战的解决方案。首先，连同详细的比较，详细介绍了低维钙钛矿的优势，这些优势可以克服FET的传统3D钙钛矿的缺点。此后，简要回顾了低维钙钛矿基FET的成就和发展，然后讨论了场效应迁移率以及低维钙钛矿FET的其他挑战和机遇。最后，给出了总结和展望。这篇综述主要总结和评估了低尺寸钙钛矿FET的最新进展，并提出了应对可能挑战的解决方案。首先，连同详细的比较，详细介绍了低维钙钛矿的优势，这些优势可以克服FET的传统3D钙钛矿的缺点。此后，简要回顾了低维钙钛矿基FET的成就和发展，然后讨论了场效应迁移率以及低维钙钛矿FET的其他挑战和机遇。最后，给出了总结和展望。简要回顾了低维钙钛矿基FET的成就和发展，然后讨论了场效应迁移率以及低维钙钛矿FET的其他挑战和机遇。最后，给出了总结和展望。简要回顾了低维钙钛矿基FET的成就和发展，然后讨论了场效应迁移率以及低维钙钛矿FET的其他挑战和机遇。最后，给出了总结和展望。
更新日期：2020-09-08
中文翻译：
适用于具有更高稳定性的场效应晶体管的低维混合钙钛矿：进展与挑战
杂化钙钛矿因其出色的光电性能和便捷的加工而备受关注。除了在各种能源相关设备和光电应用（尤其是光伏电池）中广泛使用以外，这些材料还被用作场效应晶体管（FET）的有效候选材料。然而，这些材料的低稳定性仍是其应用和商业化的重大挑战。通过将较大的有机胺基引入钙钛矿结构中而形成的低维（二维或准两维）钙钛矿不仅为开发高稳定性器件提供了巨大潜力，而且由于具有更高的场效应迁移率，在室温下离子迁移低。至今，新兴的低维钙钛矿FET已经获得了空前的发展。这篇综述主要总结和评估了低尺寸钙钛矿FET的最新进展，并提出了应对可能挑战的解决方案。首先，连同详细的比较，详细介绍了低维钙钛矿的优势，这些优势可以克服FET的传统3D钙钛矿的缺点。此后，简要回顾了低维钙钛矿基FET的成就和发展，然后讨论了场效应迁移率以及低维钙钛矿FET的其他挑战和机遇。最后，给出了总结和展望。这篇综述主要总结和评估了低尺寸钙钛矿FET的最新进展，并提出了应对可能挑战的解决方案。首先，连同详细的比较，详细介绍了低维钙钛矿的优势，这些优势可以克服FET的传统3D钙钛矿的缺点。此后，简要回顾了低维钙钛矿基FET的成就和发展，然后讨论了场效应迁移率以及低维钙钛矿FET的其他挑战和机遇。最后，给出了总结和展望。这篇综述主要总结和评估了低尺寸钙钛矿FET的最新进展，并提出了应对可能挑战的解决方案。首先，连同详细的比较，详细介绍了低维钙钛矿的优势，这些优势可以克服FET的传统3D钙钛矿的缺点。此后，简要回顾了低维钙钛矿基FET的成就和发展，然后讨论了场效应迁移率以及低维钙钛矿FET的其他挑战和机遇。最后，给出了总结和展望。简要回顾了低维钙钛矿基FET的成就和发展，然后讨论了场效应迁移率以及低维钙钛矿FET的其他挑战和机遇。最后，给出了总结和展望。简要回顾了低维钙钛矿基FET的成就和发展，然后讨论了场效应迁移率以及低维钙钛矿FET的其他挑战和机遇。最后，给出了总结和展望。
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