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Reply to “Comment on ‘Stress–strain state in α -Ga 2 O 3 epitaxial films on α -Al 2 O 3 substrates’” [Appl. Phys. Express 13 [https://doi.org/10.35848/1882-0786/ab9657] , 075502 (2020) ]
Applied Physics Express ( IF 2.3 ) Pub Date : 2020-07-16 , DOI: 10.35848/1882-0786/aba3f1 Andrei M. Smirnov 1 , Arina V. Kremleva 1 , Shukrillo Sh. Sharofidinov 1, 2 , Vladislav E. Bougrov 1 , Alexey E. Romanov 1, 2
Applied Physics Express ( IF 2.3 ) Pub Date : 2020-07-16 , DOI: 10.35848/1882-0786/aba3f1 Andrei M. Smirnov 1 , Arina V. Kremleva 1 , Shukrillo Sh. Sharofidinov 1, 2 , Vladislav E. Bougrov 1 , Alexey E. Romanov 1, 2
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中文翻译：
答复“关于'在α-Al 2 O 3衬底上的α-Ga 2 O 3外延膜中的应力-应变状态的评论” [Appl。物理 快递13 [https://doi.org/10.35848/1882-0786/ab9657]，075502（2020）]
说明不可用
更新日期：2020-07-17
中文翻译：
答复“关于'在α-Al 2 O 3衬底上的α-Ga 2 O 3外延膜中的应力-应变状态的评论” [Appl。物理 快递13 [https://doi.org/10.35848/1882-0786/ab9657]，075502（2020）]
说明不可用
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