当前位置：
X-MOL 学术
›
Prog. Photovoltaics
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
Very high VOC and FF of CdTe thin‐film solar cells with the applications of organo‐metallic halide perovskite thin film as a hole transport layer
Progress in Photovoltaics ( IF 8.0 ) Pub Date : 2020-07-10 , DOI: 10.1002/pip.3309 Khagendra P. Bhandari 1 , Fadhil K. Alfadhili 2 , Ebin Bastola 2 , Suneth C. Watthage 2 , Zhaoning Song 2 , Geethika K. Liyanage 2 , Adam J. Phillips 2 , Michael J. Heben 2 , Randy J. Ellingson 2
Progress in Photovoltaics ( IF 8.0 ) Pub Date : 2020-07-10 , DOI: 10.1002/pip.3309 Khagendra P. Bhandari 1 , Fadhil K. Alfadhili 2 , Ebin Bastola 2 , Suneth C. Watthage 2 , Zhaoning Song 2 , Geethika K. Liyanage 2 , Adam J. Phillips 2 , Michael J. Heben 2 , Randy J. Ellingson 2
Affiliation
|
We fabricate and characterize methylammonium lead halide perovskite film as a novel back contact to CdTe thin‐film solar cells. We apply ~0.75 μm perovskite film at the interface of CdCl2‐activated and Cu‐doped CdTe surface and complete the device with Au back contact. We use Cu/Au back contact as a reference to compare results with novel back contact. Our investigation shows that incorporation of thin layer of perovskite film before the back contact metal reduces back contact barrier effect and improves fill factor (FF) and open‐circuit voltage (VOC) of the solar cells. Our low temperature JV results prove that thin‐film perovskite is a very necessary component in CdTe solar cells to reduce back contact barrier, to minimize interface or surface recombination, to improve collection efficiencies, and to increase the efficiency of solar cells. Our best device shows 7% increase in VOC to 0.875 V and ~7% increase in FF with the highest FF of 81%, and solar cell's efficiency finally increases by 10% with the use of MAPb(I1‐xBrx)3 as an interface layer.
中文翻译：
CdTe薄膜太阳能电池具有很高的VOC和FF，并且将有机金属卤化物钙钛矿薄膜用作空穴传输层
我们制造并表征了甲基铵卤化铅钙钛矿薄膜，将其作为CdTe薄膜太阳能电池的新型背面触点。我们在CdCl 2活化和Cu掺杂的CdTe表面的界面处施加约0.75μm钙钛矿薄膜，并完成带有Au背接触的器件。我们使用Cu / Au背接触作为参考，将结果与新型背接触进行比较。我们的研究表明，在背面接触金属之前掺入钙钛矿薄膜的薄层可减少背面接触的势垒效应，并改善填充系数（FF）和开路电压（V OC））的太阳能电池。我们的低温合资结果证明，钙钛矿薄膜是CdTe太阳能电池中非常必要的成分，可减少背接触势垒，最小化界面或表面重组，提高收集效率并提高太阳能电池的效率。我们最好的设备显示出V OC增加了7％，达到0.875 V，FF增加了〜7％，最高FF为81％，使用MAPb（I 1-x Br x）最终使太阳能电池的效率提高了10％。3作为接口层。
更新日期：2020-09-15
中文翻译：
CdTe薄膜太阳能电池具有很高的VOC和FF，并且将有机金属卤化物钙钛矿薄膜用作空穴传输层
我们制造并表征了甲基铵卤化铅钙钛矿薄膜，将其作为CdTe薄膜太阳能电池的新型背面触点。我们在CdCl 2活化和Cu掺杂的CdTe表面的界面处施加约0.75μm钙钛矿薄膜，并完成带有Au背接触的器件。我们使用Cu / Au背接触作为参考，将结果与新型背接触进行比较。我们的研究表明，在背面接触金属之前掺入钙钛矿薄膜的薄层可减少背面接触的势垒效应，并改善填充系数（FF）和开路电压（V OC））的太阳能电池。我们的低温合资结果证明，钙钛矿薄膜是CdTe太阳能电池中非常必要的成分，可减少背接触势垒，最小化界面或表面重组，提高收集效率并提高太阳能电池的效率。我们最好的设备显示出V OC增加了7％，达到0.875 V，FF增加了〜7％，最高FF为81％，使用MAPb（I 1-x Br x）最终使太阳能电池的效率提高了10％。3作为接口层。
京公网安备 11010802027423号