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Temperature-Dependent Tip-Induced Motion of Ga Adatom on GaAs (110) Surface.
Small ( IF 13.0 ) Pub Date : 2020-07-02 , DOI: 10.1002/smll.202002296 Shigeru Kaku 1 , Junji Yoshino 1
Small ( IF 13.0 ) Pub Date : 2020-07-02 , DOI: 10.1002/smll.202002296 Shigeru Kaku 1 , Junji Yoshino 1
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The temperature‐dependent tip‐induced‐motion of a Ga adatom on a GaAs (110) surface is experimentally demonstrated using scanning tunneling microscopy (STM). The surface adsorption energy profile obtained by first‐principle electronic structure calculations reveals that the origin of the Ga motion observed at 78 K is attributable to the tip‐induced Ga adatom hopping between the most stable potential minima among the three local minima, whereas that observed at 4.2 K is attributable to the tip‐induced hopping and sliding motions through the next stable minima as well as the most stable minima. Furthermore, it is shown that a slight progressive modification of the adatom motion observed only at 4.2 K resulting from repeated STM line scans is consistent with the overall picture taking account of the heating of the adatom owing to the tip current.
中文翻译：
Ga原子在GaAs（110）表面上的随温度变化的尖端诱导运动。
使用扫描隧道显微镜（STM）通过实验证明了Ga原子在GaAs（110）表面上的随温度变化的尖端诱导运动。通过第一性原理电子结构计算获得的表面吸附能曲线表明，在78 K处观察到的Ga运动的起源归因于三个局部最小值中最稳定的电位最小值之间的尖端诱导的Ga原子吸附跳变，而观察到的在4.2 K处归因于尖端引起的下一个稳定最小值和最稳定最小值的跳跃和滑动运动。此外，还表明，由于重复的STM线扫描，仅在4.2 K处观察到的对原子运动的轻微渐进改变与考虑到由于尖端电流引起的原子加热而引起的整体情况是一致的。
更新日期：2020-08-14
中文翻译：
Ga原子在GaAs（110）表面上的随温度变化的尖端诱导运动。
使用扫描隧道显微镜（STM）通过实验证明了Ga原子在GaAs（110）表面上的随温度变化的尖端诱导运动。通过第一性原理电子结构计算获得的表面吸附能曲线表明，在78 K处观察到的Ga运动的起源归因于三个局部最小值中最稳定的电位最小值之间的尖端诱导的Ga原子吸附跳变，而观察到的在4.2 K处归因于尖端引起的下一个稳定最小值和最稳定最小值的跳跃和滑动运动。此外，还表明，由于重复的STM线扫描，仅在4.2 K处观察到的对原子运动的轻微渐进改变与考虑到由于尖端电流引起的原子加热而引起的整体情况是一致的。
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