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Study of pit formation in MBE grown GaP on misoriented Si
Journal of Vacuum Science & Technology B ( IF 1.4 ) Pub Date : 2020-05-01 , DOI: 10.1116/6.0000064 Srinath Murali 1 , Chaomin Zhang 1 , Michael Goryll 1 , Richard R. King 1 , Christiana B. Honsberg 1
Journal of Vacuum Science & Technology B ( IF 1.4 ) Pub Date : 2020-05-01 , DOI: 10.1116/6.0000064 Srinath Murali 1 , Chaomin Zhang 1 , Michael Goryll 1 , Richard R. King 1 , Christiana B. Honsberg 1
Affiliation
GaP-based alloys can be grown lattice-matched to Si, making them an attractive choice for use in Si-based multijunction solar cells. This work focuses on the growth of GaP on Si with the aim to imp...
中文翻译：
MBE 生长的 GaP 在错误取向的 Si 上形成凹坑的研究
GaP 基合金可以与 Si 晶格匹配生长，使其成为用于 Si 基多结太阳能电池的有吸引力的选择。这项工作的重点是 GaP 在 Si 上的生长，目的是...
更新日期：2020-05-01
中文翻译：
MBE 生长的 GaP 在错误取向的 Si 上形成凹坑的研究
GaP 基合金可以与 Si 晶格匹配生长，使其成为用于 Si 基多结太阳能电池的有吸引力的选择。这项工作的重点是 GaP 在 Si 上的生长，目的是...
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