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Influence of strain on the InAs1 – xSbx composition
Journal of Vacuum Science & Technology B ( IF 1.5 ) Pub Date : 2020-05-01 , DOI: 10.1116/1.5145066 Wendy L. Sarney 1 , Stefan P. Svensson 1 , Asher C. Leff 1, 2 , Dmitri V. Donetsky 3 , Jinghe Liu 3 , Gregory L. Belenky 3
Journal of Vacuum Science & Technology B ( IF 1.5 ) Pub Date : 2020-05-01 , DOI: 10.1116/1.5145066 Wendy L. Sarney 1 , Stefan P. Svensson 1 , Asher C. Leff 1, 2 , Dmitri V. Donetsky 3 , Jinghe Liu 3 , Gregory L. Belenky 3
Affiliation
The composition of III–V semiconductor alloys with multiple group V elements results from a complex interaction of each group V species with each other and with group IIIs. Molecular beam epitaxy g...
中文翻译：
应变对 InAs1 – xSbx 组成的影响
具有多种 V 族元素的 III-V 族半导体合金的成分是由每个 V 族物质彼此之间以及与 III 族之间复杂的相互作用产生的。分子束外延...
更新日期：2020-05-01
中文翻译：
应变对 InAs1 – xSbx 组成的影响
具有多种 V 族元素的 III-V 族半导体合金的成分是由每个 V 族物质彼此之间以及与 III 族之间复杂的相互作用产生的。分子束外延...
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