Germanium is a promising alternative material for use in advanced technology nodes because it exhibits symmetrical mobility of holes and electrons. Embedded nonvolatile memory (NVM) is essential in electronic devices with integrated circuit (IC) technology, including future Ge-based technology. In this paper, we demonstrate Ge twin-transistor NVM with a fin field-effect transistor (FinFET) structure. This Ge twin-transistor NVM exhibits high programming and erasing speeds and satisfactory reliability. Moreover, the masks and fabrication process of this Ge twin-transistor NVM are identical to those of Ge-channel FinFETs. Thus, Ge twin-transistor NVM is a promising candidate for embedded NVM applications in future high-performance Ge complementary metal–oxide–semiconductor technology (CMOS).

中文翻译：

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具有 FinFET 结构的锗双晶体管非易失性存储器

锗是一种用于先进技术节点的有前途的替代材料，因为它表现出对称的空穴和电子迁移率。嵌入式非易失性存储器 (NVM) 在采用集成电路 (IC) 技术的电子设备中必不可少，包括未来的基于 Ge 的技术。在本文中，我们展示了具有鳍式场效应晶体管 (FinFET) 结构的 Ge 双晶体管 NVM。这种 Ge 双晶体管 NVM 具有很高的编程和擦除速度以及令人满意的可靠性。此外，这种 Ge 双晶体管 NVM 的掩膜和制造工艺与 Ge 沟道 FinFET 的掩膜和制造工艺相同。因此，Ge双晶体管NVM是未来高性能Ge互补金属氧化物半导体技术（CMOS）中嵌入式NVM应用的有希望的候选者。