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Ultra‐Compact and Ultra‐Broadband Guided‐Mode Exchangers on Silicon
Laser & Photonics Reviews ( IF 9.8 ) Pub Date : 2020-06-09 , DOI: 10.1002/lpor.202000058 Jingshu Guo 1, 2 , Chaochao Ye 1 , Chaoyue Liu 1 , Ming Zhang 2 , Chenlei Li 1 , Jiang Li 1 , Yaocheng Shi 1, 2 , Daoxin Dai 1, 2
Laser & Photonics Reviews ( IF 9.8 ) Pub Date : 2020-06-09 , DOI: 10.1002/lpor.202000058 Jingshu Guo 1, 2 , Chaochao Ye 1 , Chaoyue Liu 1 , Ming Zhang 2 , Chenlei Li 1 , Jiang Li 1 , Yaocheng Shi 1, 2 , Daoxin Dai 1, 2
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On‐chip mode exchangers play very important roles for multimode photonics, which has drawn much attention for many applications. However, it is still very challenging to achieve compact mode exchangers with high performances in an ultra‐broad bandwidth. Here a universal approach of on‐chip mode manipulations is proposed by manipulating the multimode excitations/interferences, and ultra‐compact mode exchangers are realized with low excess losses (ELs) and high extinction ratios (ERs) using special metamaterial structures. The presented TEi–j mode exchangers enable the exchange between the TEi and TEj modes in an ultra‐broad bandwidth. The designed TE0–1 and TE0–2 mode exchangers have footprints of 1.3 × 2.7 µm2 and 1.9 × 2.9 µm2, respectively. Theoretically, they have ELs ≈ 0.2 dB and ERs = 19–32 dB at 1550 nm, while their bandwidths for achieving ER > 10 dB reach 340–400 nm. The fabricated devices have measured ELs of 0.2–0.3 dB and ERs above 12.0–13.2 dB in the setup‐limited wavelength range of 1520–1607 nm. The proposed approach is flexibly extendable to enable on‐chip mode exchanges, which are promising for multimode silicon photonics in many applications.
中文翻译：
硅上的超紧凑型和超宽带导模交换器
片上模式交换器在多模式光子学中扮演着非常重要的角色，这已引起许多应用的关注。但是，要在超宽带宽中实现高性能的紧凑型交换器仍然非常困难。在这里，通过操纵多模激发/干扰，提出了一种通用的片上模式操纵方法，并且使用特殊的超材料结构，以超低损耗（EL）和高消光比（ER）实现了超紧凑模式交换器。提出的TE i – j模式交换器可以在超宽带中实现TE i和TE j模式之间的交换。设计的TE 0–1和TE 0–2模式交换器的占地面积分别为1.3×2.7 µm 2和1.9×2.9 µm 2。从理论上讲，它们在1550 nm处具有EL≈0.2 dB和ER = 19–32 dB，而达到ER> 10 dB的带宽达到340–400 nm。在1520–1607 nm的设置限制波长范围内，预制设备测得的EL为0.2-0.3 dB，ER大于12.0-13.2 dB。所提出的方法可灵活扩展以实现片上模式交换，这对于许多应用中的多模硅光子学来说是有希望的。
更新日期：2020-06-09
中文翻译：
硅上的超紧凑型和超宽带导模交换器
片上模式交换器在多模式光子学中扮演着非常重要的角色，这已引起许多应用的关注。但是，要在超宽带宽中实现高性能的紧凑型交换器仍然非常困难。在这里，通过操纵多模激发/干扰，提出了一种通用的片上模式操纵方法，并且使用特殊的超材料结构，以超低损耗（EL）和高消光比（ER）实现了超紧凑模式交换器。提出的TE i – j模式交换器可以在超宽带中实现TE i和TE j模式之间的交换。设计的TE 0–1和TE 0–2模式交换器的占地面积分别为1.3×2.7 µm 2和1.9×2.9 µm 2。从理论上讲，它们在1550 nm处具有EL≈0.2 dB和ER = 19–32 dB，而达到ER> 10 dB的带宽达到340–400 nm。在1520–1607 nm的设置限制波长范围内，预制设备测得的EL为0.2-0.3 dB，ER大于12.0-13.2 dB。所提出的方法可灵活扩展以实现片上模式交换，这对于许多应用中的多模硅光子学来说是有希望的。
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