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A flexible, multifunctional, active terahertz modulator with an ultra-low triggering threshold
Journal of Materials Chemistry C ( IF 5.7 ) Pub Date : 2020-06-09 , DOI: 10.1039/d0tc02446e He Ma 1, 2, 3, 4 , Yu Wang 1, 2, 3, 4 , Rong Lu 1, 2, 3, 4 , Fangrui Tan 1, 2, 3, 4 , Yulan Fu 1, 2, 3, 4 , Guang Wang 5, 6, 7, 8, 9 , Dayong Wang 1, 2, 3, 4 , Kai Liu 4, 9, 10, 11, 12 , Shoushan Fan 5, 6, 7, 8, 9 , Kaili Jiang 5, 6, 7, 8, 9 , Xinping Zhang 1, 2, 3, 4
Journal of Materials Chemistry C ( IF 5.7 ) Pub Date : 2020-06-09 , DOI: 10.1039/d0tc02446e He Ma 1, 2, 3, 4 , Yu Wang 1, 2, 3, 4 , Rong Lu 1, 2, 3, 4 , Fangrui Tan 1, 2, 3, 4 , Yulan Fu 1, 2, 3, 4 , Guang Wang 5, 6, 7, 8, 9 , Dayong Wang 1, 2, 3, 4 , Kai Liu 4, 9, 10, 11, 12 , Shoushan Fan 5, 6, 7, 8, 9 , Kaili Jiang 5, 6, 7, 8, 9 , Xinping Zhang 1, 2, 3, 4
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Active terahertz (THz) modulators play an essential role in THz technology. Because of the excellent THz modulation properties bestowed by its intrinsic metal–insulator transition (MIT) at 68 °C, vanadium dioxide (VO2) is an appealing active THz modulator material. Current active THz modulator designs based on pure VO2 films or metasurfaces deposited on traditional semiconductor substrates are typically subject to high triggering thresholds and slow responses. Therefore, further development of VO2-active THz modulators for superior performance requires new materials and device designs. In this paper, we develop a flexible active THz modulator based on an aligned carbon nanotube thin film coated with VO2. THz wave modulation driven by the MIT of VO2 presents a giant modulation depth of up to 91% and broad bandwidth (>2.3 THz). Various stimuli can be utilized to trigger the THz modulator. The response time of the THz modulator is 27 ms, which can be further shortened by decreasing the device size. In addition, the light-triggering threshold is quite low (0.58 mW mm−2). Optical anisotropy enables polarization of the THz modulator. Since they combine superior modulation performance, responsive stimulus diversity, versatility, and flexibility, these active THz modulators find applications in THz communication, THz imaging, etc.
中文翻译：
具有超低触发门限的灵活多功能有源太赫兹调制器
有源太赫兹（THz）调制器在THz技术中起着至关重要的作用。由于其在68°C时固有的金属-绝缘体转变（MIT）所赋予的出色的THz调制性能，二氧化钒（VO 2）是一种有吸引力的活性THz调制器材料。基于纯VO 2膜或沉积在传统半导体衬底上的超表面的当前有源THz调制器设计通常会遭受高触发阈值和缓慢响应。因此，为获得卓越性能而进一步开发VO 2有源THz调制器需要新的材料和器件设计。在本文中，我们基于涂有VO 2的定向碳纳米管薄膜开发了一种柔性有源THz调制器。由VO 2的MIT驱动的THz波调制具有高达91％的巨大调制深度和较宽的带宽（> 2.3 THz）。可以利用各种刺激来触发THz调制器。太赫兹调制器的响应时间为27 ms，可以通过减小器件尺寸进一步缩短。另外，光触发阈值非常低（0.58mWmm -2）。光学各向异性使THz调制器极化。由于它们结合了出色的调制性能，响应性刺激多样性，多功能性和灵活性，因此这些有源THz调制器可用于THz通信，THz成像等领域。
更新日期：2020-08-06
中文翻译：
具有超低触发门限的灵活多功能有源太赫兹调制器
有源太赫兹（THz）调制器在THz技术中起着至关重要的作用。由于其在68°C时固有的金属-绝缘体转变（MIT）所赋予的出色的THz调制性能，二氧化钒（VO 2）是一种有吸引力的活性THz调制器材料。基于纯VO 2膜或沉积在传统半导体衬底上的超表面的当前有源THz调制器设计通常会遭受高触发阈值和缓慢响应。因此，为获得卓越性能而进一步开发VO 2有源THz调制器需要新的材料和器件设计。在本文中，我们基于涂有VO 2的定向碳纳米管薄膜开发了一种柔性有源THz调制器。由VO 2的MIT驱动的THz波调制具有高达91％的巨大调制深度和较宽的带宽（> 2.3 THz）。可以利用各种刺激来触发THz调制器。太赫兹调制器的响应时间为27 ms，可以通过减小器件尺寸进一步缩短。另外，光触发阈值非常低（0.58mWmm -2）。光学各向异性使THz调制器极化。由于它们结合了出色的调制性能，响应性刺激多样性，多功能性和灵活性，因此这些有源THz调制器可用于THz通信，THz成像等领域。
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