In this study, an effective method was proposed to enhance the current drivability of junctionless field-effect transistors (JL-FETs) by utilizing ferroelectric effects. The ferroelectric layers were deposited on JL-FinFETs. The poly-Si junctionless FinFETs (JL-FinFETs) with HfZrO were successfully fabricated and demonstrated. The subthreshold slope (S.S.) of JL-FinFETs with HfZrO was very sensitive to post-metal annealing (PMA) conditions and fin width. With PMA at 700 °C, steeper S.S. and Ion/Ioff>107 could be obtained owing to the ferroelectric effect. JL-FinFETs with PMA at 700 °C possessed lower Ioff and offered the promise of higher integration flexibility for Si CMOS compatible process for future applications. Besides, the JL-FinFETs with forming gas annealing (FGA) had a small hysteresis and achieved the improved S.S.

中文翻译：

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使用合成气体退火的具有 HfZrO 的多晶硅无结 FinFET 的特性

在这项研究中，提出了一种利用铁电效应提高无结场效应晶体管（JL-FET）的电流驱动能力的有效方法。铁电层沉积在 JL-FinFET 上。成功制造并展示了具有 HfZrO 的多晶硅无结 FinFET（JL-FinFET）。具有 HfZrO 的 JL-FinFET 的亚阈值斜率 (SS) 对金属后退火 (PMA) 条件和鳍片宽度非常敏感。PMA 在 700 °C 时，由于铁电效应，可以获得更陡峭的 SS 和 Ion/Ioff>107。在 700 °C 下具有 PMA 的 JL-FinFET 具有更低的 Ioff，并为未来应用的 Si CMOS 兼容工艺提供了更高的集成灵活性。此外，采用合成气体退火 (FGA) 的 JL-FinFET 具有较小的滞后，并实现了改进的 SS