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Structure variations within RSi2 and R2Si3 silicides. Part II. Structure driving factors.
Acta Crystallographica Section B ( IF 1.3 ) Pub Date : 2020-05-15 , DOI: 10.1107/s2052520620003893 M Nentwich 1 , M Zschornak 1 , M Sonntag 1 , R Gumeniuk 1 , S Gemming 2 , T Leisegang 1 , D C Meyer 1
Acta Crystallographica Section B ( IF 1.3 ) Pub Date : 2020-05-15 , DOI: 10.1107/s2052520620003893 M Nentwich 1 , M Zschornak 1 , M Sonntag 1 , R Gumeniuk 1 , S Gemming 2 , T Leisegang 1 , D C Meyer 1
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To gain an overview of the various structure reports on RSi2 and R2TSi3 compounds (R is a member of the Sc group, an alkaline earth, lanthanide or actinide metal, T is a transition metal), compositions, lattice parameters a and c, ratios c/a, formula units per unit cell, and structure types are summarized in extensive tables and the variations of these properties when varying the R or T elements are analyzed. Following the structural systematization given in Part I, Part II focuses on revealing the driving factors for certain structure types, in particular, the electronic structure. Here, concepts of different complexity are presented, including molecular orbital theory, the principle of hard and soft acids and bases, and a Bader analysis based on Density Functional Theory calculations for representatives of the reported structure types. The potential Si/T ordering in different structures is discussed. Additionally, the influences from intrinsic and extrinsic properties (e.g. elemental size and electronics as well as lattice parameters and structure type) are investigated on each other using correlation plots. Thermal treatment is identified as an important factor for the ordering of Si/T atoms.
中文翻译：
RSi2 和 R2Si3 硅化物的结构变化。第二部分。结构驱动因素。
概述有关R Si 2和R 2 T Si 3化合物的各种结构报告（ R是 Sc 族的成员，碱土金属、镧系金属或锕系金属， T是过渡金属）、组成、晶格参数a和c 、比率c / a 、每晶胞的分子式单位以及结构类型都总结在大量表格中，并分析了当改变R或T元素时这些属性的变化。继第一部分给出的结构系统化之后，第二部分重点揭示某些结构类型（特别是电子结构）的驱动因素。在这里，提出了不同复杂性的概念，包括分子轨道理论、硬酸和软酸和碱的原理，以及基于密度泛函理论计算的巴德分析，用于报告的结构类型的代表。讨论了不同结构中潜在的 Si/ T排序。此外，还使用相关图研究了内在和外在性质（例如元素尺寸和电子以及晶格参数和结构类型）的相互影响。热处理被认为是 Si/ T原子有序化的一个重要因素。
更新日期：2020-05-15
中文翻译：
RSi2 和 R2Si3 硅化物的结构变化。第二部分。结构驱动因素。
概述有关R Si 2和R 2 T Si 3化合物的各种结构报告（ R是 Sc 族的成员，碱土金属、镧系金属或锕系金属， T是过渡金属）、组成、晶格参数a和c 、比率c / a 、每晶胞的分子式单位以及结构类型都总结在大量表格中，并分析了当改变R或T元素时这些属性的变化。继第一部分给出的结构系统化之后，第二部分重点揭示某些结构类型（特别是电子结构）的驱动因素。在这里，提出了不同复杂性的概念，包括分子轨道理论、硬酸和软酸和碱的原理，以及基于密度泛函理论计算的巴德分析，用于报告的结构类型的代表。讨论了不同结构中潜在的 Si/ T排序。此外，还使用相关图研究了内在和外在性质（例如元素尺寸和电子以及晶格参数和结构类型）的相互影响。热处理被认为是 Si/ T原子有序化的一个重要因素。
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