Abstract In this study, high speed performance of heterojunction phototransistors (HPTs) based on InAs/GaSb/AlSb type-II superlattice with 30 nm base thickness and 50% cut-off wavelength of 2.0 μm at room temperature are demonstrated. We studied the relationship between −3 dB cut-off frequency of these HPT versus mesa size, applied bias, and collector layer thickness. For 8 μm diameter circular mesas HPT devices with a 0.5 μm collector layer, under 20 V applied bias voltage, we achieved a −3 dB cut-off frequency of 2.8 GHz.

中文翻译：

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用于高速应用的 II 型超晶格异质结光电晶体管

摘要 在这项研究中，证明了基于 InAs/GaSb/AlSb II 型超晶格的异质结光电晶体管 (HPT) 在室温下具有 30 nm 基极厚度和 50% 截止波长为 2.0 μm 的高速性能。我们研究了这些 HPT 的 -3 dB 截止频率与台面尺寸、施加的偏置和集电极层厚度之间的关系。对于具有 0.5 μm 集电极层的 8 μm 直径圆形台面 HPT 器件，在施加 20 V 偏置电压下，我们实现了 -3 dB 截止频率为 2.8 GHz。