ABSTRACT This paper proposes a 4:1 Multiplexer (MUX) designed using proposed Dual Chirality High-Speed Noise Immune Domino Logic (DCHSNIDL) technique for designing lower delay noise immune domino logic circuits in Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs) technology. Dynamic power consumption, speed and noise immunity of the circuit are improved by changing the threshold voltage of the CNTFETs. The chirality indices of the carbon nanotubes (CNTs) are varied to change the threshold voltage of the CNTFETs. Simulations are carried out for 32 nm Stanford CNTFET model in HSPICE for 2-, 4-, 8- and 16-input domino OR gates at a clock frequency of 200 MHz on a DC supply voltage of 0.9V. The proposed DCHSNIDL domino circuit reduces power consumption by a maximum of 61.77% and propagation delay by a maximum of 55.11% compared to Current-Mirror Based Process Variation Tolerant (CPVT) circuit in CNTFET technology. The proposed CNTFET-based domino technique shows a maximum reduction of 96.31% in power consumption compared to its equivalent circuit in CMOS technology for a 4-input OR gate. The proposed technique shows an improvement of 1.04× to 1.35× times in Unity Noise Gain (UNG) compared to various existing techniques in CNTFET technology. The 4:1 MUX designed using proposed technique has 48.91% lower propagation delay and consumes 52.80% lower power compared to MUX using CPVT technique.

中文翻译：

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在纳米级技术中使用基于双手性 CNTFET 的多米诺逻辑的 4:1 多路复用器

摘要 本文提出了一种 4:1 多路复用器 (MUX)，它使用所提出的双手性高速噪声免疫多米诺逻辑 (DCHSNIDL) 技术设计，用于设计碳纳米管场效应晶体管 (CNTFET) 技术中的低延迟噪声免疫多米诺逻辑电路。通过改变 CNTFET 的阈值电压，提高了电路的动态功耗、速度和抗噪性。改变碳纳米管 (CNT) 的手性指数以改变 CNTFET 的阈值电压。在 HSPICE 中对 2、4、8 和 16 输入多米诺或门的 32 纳米斯坦福 CNTFET 模型进行了模拟，时钟频率为 200 MHz，直流电源电压为 0.9V。建议的 DCHSNIDL 多米诺骨牌电路将功耗最多降低 61.77%，传播延迟最多降低 55%。与采用 CNTFET 技术的基于电流镜的工艺变化容错 (CPVT) 电路相比，提高了 11%。与用于 4 输入或门的 CMOS 技术等效电路相比，提议的基于 CNTFET 的多米诺技术显示功耗最大降低 96.31%。与 CNTFET 技术中的各种现有技术相比，所提出的技术显示单位噪声增益 (UNG) 提高了 1.04 倍至 1.35 倍。与使用 CPVT 技术的 MUX 相比，使用建议的技术设计的 4:1 MUX 的传播延迟降低了 48.91%，功耗降低了 52.80%。与 CNTFET 技术中的各种现有技术相比，所提出的技术显示单位噪声增益 (UNG) 提高了 1.04 倍至 1.35 倍。与使用 CPVT 技术的 MUX 相比，使用建议的技术设计的 4:1 MUX 的传播延迟降低了 48.91%，功耗降低了 52.80%。与 CNTFET 技术中的各种现有技术相比，所提出的技术显示单位噪声增益 (UNG) 提高了 1.04 倍至 1.35 倍。与使用 CPVT 技术的 MUX 相比，使用建议的技术设计的 4:1 MUX 的传播延迟降低了 48.91%，功耗降低了 52.80%。