Metal–semiconductor junctions formed between a transition metal ditelluride and monolayer molybdenum disulfide exhibit nearly ideal Schottky–Mott conditions.

中文翻译：

---

过渡金属二碲化物可实现更好的2D接触

过渡金属二碲化物和单层二硫化钼之间形成的金属-半导体结表现出几乎理想的肖特基-莫特条件。