Abstract Methods available for the mapping of dopants in silicon-based semiconductor structures with p-type as well as n-type doped patterns using low and very-low-energy electrons are reviewed together with the results of demonstration experiments.

中文翻译：

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使用慢电子获取半导体中的掺杂剂对比度

摘要 与演示实验的结果一起回顾了可用于使用低能和极低能电子对具有 p 型和 n 型掺杂图案的硅基半导体结构中的掺杂剂进行映射的方法。