In this letter, we report a quasi-vertical GaN Schottky barrier diode (SBD) fabricated on a hetero-epitaxial layer on silicon with low dislocation density and high carrier mobility. The reduction of dislocation is realized by inserting a thin layer with high density of Ga vacancies to promote the dislocation bending. The dislocation density is ${1.6}\times {10}^{{8}}$ cm⁻² with a GaN drift layer thickness of $4.5~\mu \text{m}$ . The fabricated prototype GaN SBD delivers a high on/off current ratio of $10^{{10}}$ , a high forward current density of 1.6 kA/cm²@3 V, a low specific on-resistance of 1.1 $\text{m}\Omega \cdot \text {cm}^{{2}}$ , and a low ideality factor of 1.23.

中文翻译：

---

具有 1010 高开/关电流比和低比导通电阻的硅衬底上准垂直 GaN 肖特基势垒二极管

在这封信中，我们报告了在硅上的异质外延层上制造的准垂直 GaN 肖特基势垒二极管 (SBD)，具有低位错密度和高载流子迁移率。位错的减少是通过插入具有高密度 Ga 空位的薄层来促进位错弯曲来实现的。位错密度为 ${1.6}\times {10}^{{8}}$ cm ^-2具有 GaN 漂移层厚度 $4.5~\mu \text{m}$ . 制造的原型 GaN SBD 提供高开/关电流比 $10^{{10}}$ , 1.6 kA/cm ² @3 V的高正向电流密度，1.1 的低比导通电阻 $\text{m}\Omega \cdot \text {cm}^{{2}}$ ，以及 1.23 的低理想因子。