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Exclusion-Enrichment Effect in Ionic Transistors
Langmuir ( IF 3.7 ) Pub Date : 2020-03-25 , DOI: 10.1021/acs.langmuir.0c00164 S. Ghosal 1, 2
Langmuir ( IF 3.7 ) Pub Date : 2020-03-25 , DOI: 10.1021/acs.langmuir.0c00164 S. Ghosal 1, 2
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A simple model of a nanofluidic transistor consisting of a uniformly charged central section between a pair of plane parallel walls is considered. The linearized Poisson–Boltzmann equation corresponding to weak surface charge is solved exactly, and the solution is presented as an infinite series. The problem is characterized by three dimensionless parameters, namely the normalized surface charge, the ratio of the channel width to the Debye length, and the length-to-width aspect ratio of the charged section. The first of these parameters is presumed small, but the other two are arbitrary. The dependence of the exclusion-enrichment effect on these three parameters is discussed.
中文翻译：
离子晶体管的排他富集效应
考虑由在一对平面平行壁之间均匀充电的中心部分组成的纳米流体晶体管的简单模型。精确求解了对应于弱表面电荷的线性化的Poisson–Boltzmann方程，并将其表示为无穷级数。该问题的特征在于三个无因次参数，即归一化表面电荷，通道宽度与德拜长度的比以及带电部分的长宽比。这些参数中的第一个被假定为很小，但是其他两个是任意的。讨论了排除富集效应对这三个参数的依赖性。
更新日期：2020-03-26
中文翻译：
离子晶体管的排他富集效应
考虑由在一对平面平行壁之间均匀充电的中心部分组成的纳米流体晶体管的简单模型。精确求解了对应于弱表面电荷的线性化的Poisson–Boltzmann方程，并将其表示为无穷级数。该问题的特征在于三个无因次参数，即归一化表面电荷，通道宽度与德拜长度的比以及带电部分的长宽比。这些参数中的第一个被假定为很小，但是其他两个是任意的。讨论了排除富集效应对这三个参数的依赖性。
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