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Forming an Ultrathin SnS Layer on Cu2ZnSnS4 Surface to Achieve Highly Efficient Solar Cells with Zn(O,S) Buffer
Solar RRL ( IF 6.0 ) Pub Date : 2020-03-11 , DOI: 10.1002/solr.202000010 Lan Huang 1 , Jianmin Li 1 , Shijin Wang 1 , Lan Zhong 1 , Xudong Xiao 1
Solar RRL ( IF 6.0 ) Pub Date : 2020-03-11 , DOI: 10.1002/solr.202000010 Lan Huang 1 , Jianmin Li 1 , Shijin Wang 1 , Lan Zhong 1 , Xudong Xiao 1
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Environmental friendliness demands the use of nontoxic elements in all types of solar cells, and Zn(O,S) thin film as an alternative buffer layer to replace CdS layer in chalcopyrite and kesterite solar cells has attracted enormous attention in the past. However, Cu2ZnSnS4 (CZTS) solar cells with a Zn(O,S) buffer are far inferior to those with CdS buffer despite the potentially better band alignment. Herein, by intentionally controlling the precursor composition, the surface of CZTS can be modified to improve the quality of the Zn(O,S)/CZTS junction for the chemical bath‐deposited Zn(O,S) buffer. Such a CZTS solar cell reaches a high conversion efficiency of 7.28%, the highest among all Zn(O,S)‐based kesterite solar cells so far. The CZTS surface that can jointly work well with the Zn(O,S) buffer is further investigated using X‐ray photoelectron spectroscopy and ultraviolet photoelectron spectroscopy. The results indicate that an ultrathin SnS layer exists on the CZTS surface and effectively raises the conduction band edge of the absorber surface to form a conduction band offset barrier of ≈0.40 eV, significantly better than that without the assistance of SnS layer. A key route for fabricating highly efficient and low‐cost Cd‐free CZTS thin‐film solar cells is described.
中文翻译：
在Cu2ZnSnS4表面上形成超薄SnS层，以实现具有Zn（O，S）缓冲液的高效太阳能电池
为了环境友好，要求在所有类型的太阳能电池中使用无毒元素，而锌（O，S）薄膜作为替代缓冲层替代黄铜矿和钾钛矿型太阳能电池中的CdS层在过去引起了极大的关注。但是，Cu 2 ZnSnS 4具有Zn（O，S）缓冲液的（CZTS）太阳能电池远不及具有CdS缓冲液的太阳能电池，尽管它们可能具有更好的能带对准性。在此，通过有意地控制前体成分，可以对CZTS的表面进行改性，以提高化学浴沉积Zn（O，S）缓冲液的Zn（O，S）/ CZTS结的质量。这种CZTS太阳能电池的转换效率高达7.28％，是迄今为止所有基于Zn（O，S）的钾盐沸石太阳能电池中最高的。可以使用X射线光电子能谱和紫外光电子能谱进一步研究可以与Zn（O，S）缓冲液一起很好地工作的CZTS表面。结果表明，超薄的SnS层存在于CZTS表面上，有效地提高了吸收体表面的导带边缘，形成了约0.40 eV的导带偏置势垒，明显优于没有SnS层协助的情况。描述了制造高效且低成本的无Cd CZTS薄膜太阳能电池的关键途径。
更新日期：2020-03-11
中文翻译：
在Cu2ZnSnS4表面上形成超薄SnS层，以实现具有Zn（O，S）缓冲液的高效太阳能电池
为了环境友好，要求在所有类型的太阳能电池中使用无毒元素，而锌（O，S）薄膜作为替代缓冲层替代黄铜矿和钾钛矿型太阳能电池中的CdS层在过去引起了极大的关注。但是，Cu 2 ZnSnS 4具有Zn（O，S）缓冲液的（CZTS）太阳能电池远不及具有CdS缓冲液的太阳能电池，尽管它们可能具有更好的能带对准性。在此，通过有意地控制前体成分，可以对CZTS的表面进行改性，以提高化学浴沉积Zn（O，S）缓冲液的Zn（O，S）/ CZTS结的质量。这种CZTS太阳能电池的转换效率高达7.28％，是迄今为止所有基于Zn（O，S）的钾盐沸石太阳能电池中最高的。可以使用X射线光电子能谱和紫外光电子能谱进一步研究可以与Zn（O，S）缓冲液一起很好地工作的CZTS表面。结果表明，超薄的SnS层存在于CZTS表面上，有效地提高了吸收体表面的导带边缘，形成了约0.40 eV的导带偏置势垒，明显优于没有SnS层协助的情况。描述了制造高效且低成本的无Cd CZTS薄膜太阳能电池的关键途径。
京公网安备 11010802027423号