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Dual channel ion imprinted fluorescent polymers for dual mode simultaneous chromium speciation analysis.
Analyst ( IF 3.6 ) Pub Date : 2020/02/22 , DOI: 10.1039/d0an00098a Hongzhi Lu 1 , Shoufang Xu
Analyst ( IF 3.6 ) Pub Date : 2020/02/22 , DOI: 10.1039/d0an00098a Hongzhi Lu 1 , Shoufang Xu
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A simple core shell structured fluorescent sensor was constructed to realize simultaneous detection of hexavalent and trivalent chromium ions. Briefly, blue-carbon dots (b-CDs) were embedded into a silica sphere, then a Cr(iii) imprinted silica layer doped with red-CDs (r-CDs) was coated onto the b-CDs@SiO2. Cr(vi) can selectively quench b-CDs based on the inner filter effect and Cr(iii) can selectively quench r-CDs based on electron transfer with the aid of the ion imprinting technique. In this strategy, it was not necessary to reduce Cr(vi) to Cr(iii) or oxidize Cr(iii) to Cr(vi), the chromium speciation of both can be detected simultaneously. When Cr(vi) was detected in the blue channel, the fluorescence intensity quenching effect was seen at 440 nm, and was linear from 0.01 to 10.0 μM, with a detection limit of 3.8 nM. For the detection of Cr(iii) in the red channel, the fluorescence intensity quenching effect was seen at 605 nm, and was linear from 0.1 to 15.0 μM, with a detection limit of 46 nM. This strategy enjoyed the advantages of simple construction, convenient detection, good selectivity and high sensitivity.
中文翻译：
双通道离子印迹荧光聚合物，用于双模式同时铬形态分析。
构建了一个简单的核壳结构荧光传感器，可以同时检测六价和三价铬离子。简而言之，将蓝色碳点（b-CD）嵌入二氧化硅球中，然后将掺杂有红色CD（r-CD）的Cr（iii）压印二氧化硅层涂覆到b-CDs @ SiO2上。Cr（vi）可以基于内部滤镜效应选择性淬灭b-CDs，Cr（iii）可以借助离子印迹技术基于电子转移选择性淬灭r-CDs。在这种策略中，不必将Cr（vi）还原为Cr（iii）或将Cr（iii）氧化为Cr（vi），可以同时检测到两者的铬形态。当在蓝色通道中检测到Cr（vi）时，在440 nm处观察到荧光强度猝灭效果，并且在0.01至10.0μM之间呈线性，检测极限为3.8 nM。为了检测红色通道中的Cr（iii），在605 nm处观察到了荧光强度猝灭效应，并且在0.1至15.0μM之间呈线性，检测极限为46 nM。该策略具有结构简单，检测方便，选择性好，灵敏度高的优点。
更新日期：2020-03-31
中文翻译：
双通道离子印迹荧光聚合物，用于双模式同时铬形态分析。
构建了一个简单的核壳结构荧光传感器，可以同时检测六价和三价铬离子。简而言之，将蓝色碳点（b-CD）嵌入二氧化硅球中，然后将掺杂有红色CD（r-CD）的Cr（iii）压印二氧化硅层涂覆到b-CDs @ SiO2上。Cr（vi）可以基于内部滤镜效应选择性淬灭b-CDs，Cr（iii）可以借助离子印迹技术基于电子转移选择性淬灭r-CDs。在这种策略中，不必将Cr（vi）还原为Cr（iii）或将Cr（iii）氧化为Cr（vi），可以同时检测到两者的铬形态。当在蓝色通道中检测到Cr（vi）时，在440 nm处观察到荧光强度猝灭效果，并且在0.01至10.0μM之间呈线性，检测极限为3.8 nM。为了检测红色通道中的Cr（iii），在605 nm处观察到了荧光强度猝灭效应，并且在0.1至15.0μM之间呈线性，检测极限为46 nM。该策略具有结构简单，检测方便，选择性好，灵敏度高的优点。
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