当前位置：
X-MOL 学术
›
Adv. Electron. Mater.
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
Fully Transparent Transceiver Using Single Binary Oxide Thin Film Transistors
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2020-02-03 , DOI: 10.1002/aelm.201901083 Ali H. Hassan 1 , Mrinal K. Hota 2 , Fwzah H. Alshammari 2, 3 , Husam N. Alshareef 2 , Khaled N. Salama 1
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2020-02-03 , DOI: 10.1002/aelm.201901083 Ali H. Hassan 1 , Mrinal K. Hota 2 , Fwzah H. Alshammari 2, 3 , Husam N. Alshareef 2 , Khaled N. Salama 1
Affiliation
|
Using one binary oxide, a fully transparent thin‐film transistor (TFT)‐based transceiver circuit is presented. The proposed transceiver circuit is fabricated entirely using an atomic layer deposition process. Moreover, the proposed circuit presents two modulation schemes: frequency shift keying and ON/OFF keying. The fabricated TFTs exhibit saturation mobility, threshold voltage, a subthreshold swing, and an ON/OFF ratio of 18.2 cm2 V−1 s−1, 0.9 V, 419 mVdec−1, and 109 times, respectively. Finally, the circuit functionality is demonstrated by the word “KAUST” as a Morse code.
中文翻译：
使用单二进制氧化物薄膜晶体管的全透明收发器
使用一种二元氧化物，提出了一种基于全透明薄膜晶体管（TFT）的收发器电路。所提出的收发器电路完全使用原子层沉积工艺制造。此外，所提出的电路提出了两种调制方案：频移键控和ON / OFF键控。所制造的薄膜晶体管表现出饱和迁移率，阈值电压，亚阈值摆幅，和18.2 cm的ON / OFF比2 V -1小号-1，0.9 V，419 MVDEC -1，以及10 9倍。最后，电路功能通过单词“ KAUST”作为摩尔斯电码进行演示。
更新日期：2020-03-09
中文翻译：
使用单二进制氧化物薄膜晶体管的全透明收发器
使用一种二元氧化物，提出了一种基于全透明薄膜晶体管（TFT）的收发器电路。所提出的收发器电路完全使用原子层沉积工艺制造。此外，所提出的电路提出了两种调制方案：频移键控和ON / OFF键控。所制造的薄膜晶体管表现出饱和迁移率，阈值电压，亚阈值摆幅，和18.2 cm的ON / OFF比2 V -1小号-1，0.9 V，419 MVDEC -1，以及10 9倍。最后，电路功能通过单词“ KAUST”作为摩尔斯电码进行演示。
京公网安备 11010802027423号