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Back-Channel-Etched InGaZnO Thin-Film Transistors with Au Nanoparticles on the Back Channel Surface
Electronic Materials Letters ( IF 2.1 ) Pub Date : 2020-01-07 , DOI: 10.1007/s13391-019-00189-w Peng Xiao , Wenfeng Wang , Yingyi Ye , Ting Dong , Shengjin Yuan , Jiaxing Deng , Li Zhang , Jianwen Chen , Jian Yuan
中文翻译：
在背通道表面上具有金纳米粒子的背通道刻蚀InGaZnO薄膜晶体管
更新日期：2020-01-15
Electronic Materials Letters ( IF 2.1 ) Pub Date : 2020-01-07 , DOI: 10.1007/s13391-019-00189-w Peng Xiao , Wenfeng Wang , Yingyi Ye , Ting Dong , Shengjin Yuan , Jiaxing Deng , Li Zhang , Jianwen Chen , Jian Yuan
Abstract
In t for equipment.
Graphic Abstract
中文翻译：
在背通道表面上具有金纳米粒子的背通道刻蚀InGaZnO薄膜晶体管
摘要
为设备。
图形摘要
京公网安备 11010802027423号