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Molecular Memory Switching Device Based on a Tetranuclear Organotin Sulfide Cage [(RSnIV)4(μ-S)6]·2CHCl3·4H2O (R = 2-(Phenylazo)phenyl): Synthesis, Structure, DFT Studies, and Memristive Behavior
ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2020-01-10 , DOI: 10.1021/acsaelm.9b00703 Abhishek Mishra 1 , Atanu Betal 2 , Neelam Pal 1 , Ravi Kumar 3 , Prem Lama 4 , Satyajit Sahu 2 , Ramesh K. Metre 1
ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2020-01-10 , DOI: 10.1021/acsaelm.9b00703 Abhishek Mishra 1 , Atanu Betal 2 , Neelam Pal 1 , Ravi Kumar 3 , Prem Lama 4 , Satyajit Sahu 2 , Ramesh K. Metre 1
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RSnCl3 (R = 2-phenylazophenyl) on reaction with Na2S·9H2O in a 1:1 mixture of acetone and methanol afforded a tetranuclear monoorganotin sulfide cage [(RSnIV)4(μ-S)6]·2CHCl3·4H2O (R = 2-phenylazophenyl) (1). Complex 1 crystallizes in the monoclinic space group P2/n. The molecular structure of 1 contains five-coordinate tin centers in distorted trigonal bipyramidal geometry. Complex 1 is monoorganotin sulfide derivative having a tetranuclear double-decker cage-like structure. In 1, four tin centers are bridged by a μ2-S unit affording a ubiquitous Sn–S–Sn motif among monoorganotin sulfide compounds. In addition, each tin also has intramolecular coordination to a nitrogen atom of a 2-phenylazophenyl substituent (N → Sn). The DFT calculation suggests that the complex 1 involves mainly ligand based transitions. The complex 1 based device was studied for its electrical behavior and was found to show stable, reproducible memristive behavior with an on–off ratio of 103, which suggests that the complex 1 is a promising material for memory device applications.
中文翻译：
基于四核有机锡硫化笼[（RSn IV）4（μ-S）6 ]·2CHCl 3 ·4H 2 O（R = 2-（苯基偶氮）苯基）的分子记忆开关装置：合成，结构，DFT研究和忆阻行为
RSnCl 3（R = 2-苯基偶氮苯基）与Na 2 S·9H 2 O在丙酮和甲醇的1：1混合物中反应，得到四核单有机锡硫化笼[[RSn IV）4（μ-S）6 ]·2CHCl 3 ·4H 2 O（R ＝ 2-苯基偶氮苯基）（1）。络合物1在单斜空间群P 2 / n中结晶。的分子结构1包含五个坐标在扭曲的三角双锥几何锡中心。配合物1是具有四核双层笼状结构的单有机锡硫化物衍生物。在1，四锡中心由一个μ桥接2 -S单元得到之间monoorganotin硫化物的普遍存在的Sn-S-Sn的基序。另外，每种锡还对2-苯基偶氮苯基取代基（N→Sn）的氮原子具有分子内配位。DFT计算表明，配合物1主要涉及基于配体的跃迁。对基于复合物1的器件的电性能进行了研究，发现该器件表现出稳定，可再现的忆阻性能，其开关比为10 3，这表明复合物1是用于存储器件应用的有前途的材料。
更新日期：2020-01-10
中文翻译：
基于四核有机锡硫化笼[（RSn IV）4（μ-S）6 ]·2CHCl 3 ·4H 2 O（R = 2-（苯基偶氮）苯基）的分子记忆开关装置：合成，结构，DFT研究和忆阻行为
RSnCl 3（R = 2-苯基偶氮苯基）与Na 2 S·9H 2 O在丙酮和甲醇的1：1混合物中反应，得到四核单有机锡硫化笼[[RSn IV）4（μ-S）6 ]·2CHCl 3 ·4H 2 O（R ＝ 2-苯基偶氮苯基）（1）。络合物1在单斜空间群P 2 / n中结晶。的分子结构1包含五个坐标在扭曲的三角双锥几何锡中心。配合物1是具有四核双层笼状结构的单有机锡硫化物衍生物。在1，四锡中心由一个μ桥接2 -S单元得到之间monoorganotin硫化物的普遍存在的Sn-S-Sn的基序。另外，每种锡还对2-苯基偶氮苯基取代基（N→Sn）的氮原子具有分子内配位。DFT计算表明，配合物1主要涉及基于配体的跃迁。对基于复合物1的器件的电性能进行了研究，发现该器件表现出稳定，可再现的忆阻性能，其开关比为10 3，这表明复合物1是用于存储器件应用的有前途的材料。
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