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原子层沉积法制备的氧化钇稳定的氧化锆的低温性能
Journal of Power Sources ( IF 9.2 ) Pub Date : 2014-10-16 , DOI: 10.1016/j.jpowsour.2014.10.022
Dong Young Jang , Ho Keun Kim , Jun Woo Kim , Kiho Bae , Meike V.F. Schlupp , Suk Won Park , Michel Prestat , Joon Hyung Shim

我们报告了在50–525°C的温度下通过原子层沉积(ALD)合成的薄膜氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)的性能。电化学阻抗谱(EIS)用于电导率测量。当与通过其他方法合成的YSZ的参考值相比时,在低温区域中观察到相对较高的电导率值。为了研究传导机理,在电测量过程中修改了各种实验变量,包括ALD YSZ膜中的氧化钇与氧化锆之比和大气条件。为了将电性能与结构特征联系起来,使用透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)研究了结晶度和微观结构。最后,评价了ALD YSZ膜作为微固体氧化物燃料电池的电解质的适用性。在100°C以下成功测量了接近1 V的开路电压和适当的功率输出。





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更新日期:2014-10-16
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