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One-Dimensional Assembly on Two-Dimensions: AuCN Nanowire Epitaxy on Graphene for Hybrid Phototransistors
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2018-09-24 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b02259 Jeongsu Jang 1 , Yangjin Lee 2 , Jun-Yeong Yoon 2 , Hoon Hahn Yoon 1 , Jahyun Koo 3 , Jeongheon Choe 2 , Sungho Jeon 4 , Jongbaek Sung 5, 6 , Jungwon Park 5, 6 , Won Chul Lee 4 , Hoonkyung Lee 3 , Hu Young Jeong 7 , Kibog Park 1 , Kwanpyo Kim 2
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2018-09-24 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b02259 Jeongsu Jang 1 , Yangjin Lee 2 , Jun-Yeong Yoon 2 , Hoon Hahn Yoon 1 , Jahyun Koo 3 , Jeongheon Choe 2 , Sungho Jeon 4 , Jongbaek Sung 5, 6 , Jungwon Park 5, 6 , Won Chul Lee 4 , Hoonkyung Lee 3 , Hu Young Jeong 7 , Kibog Park 1 , Kwanpyo Kim 2
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The van der Waals epitaxy of functional materials provides an interesting and efficient way to manipulate the electrical properties of various hybrid two-dimensional (2D) systems. Here we show the controlled epitaxial assembly of semiconducting one-dimensional (1D) atomic chains, AuCN, on graphene and investigate the electrical properties of 1D/2D van der Waals heterostructures. AuCN nanowire assembly is tuned by different growth conditions, although the epitaxial alignment between AuCN chains and graphene remains unchanged. The switching of the preferred nanowire growth axis indicates that diffusion kinetics affects the nanowire formation process. Semiconducting AuCN chains endow the 1D/2D hybrid system with a strong responsivity to photons with an energy above 2.7 eV, which is consistent with the bandgap of AuCN. A large UV response (responsivity ∼104 A/W) was observed under illumination using 3.1 eV (400 nm) photons. Our study clearly demonstrates that 1D chain-structured semiconductors can play a crucial role as a component in multifunctional van der Waals heterostructures.
中文翻译：
一维组装在二维上：用于混合光电晶体管的石墨烯上的AuCN纳米线外延。
功能材料的范德华外延提供了一种有趣且有效的方式来控制各种混合二维（2D）系统的电性能。在这里，我们显示了在石墨烯上的半导体一维（1D）原子链AuCN的受控外延组装，并研究了1D / 2D范德瓦尔斯异质结构的电学性质。尽管AuCN链和石墨烯之间的外延排列保持不变，但AuCN纳米线的组装可通过不同的生长条件进行调整。优选的纳米线生长轴的切换表明扩散动力学影响纳米线形成过程。半导体AuCN链赋予1D / 2D杂化系统以2.7 eV以上的能量，对光子具有很强的响应能力，这与AuCN的带隙一致。在使用3.1 eV（400 nm）光子的照明下观察到4 A / W）。我们的研究清楚地表明，一维链结构半导体可以作为多功能范德华异质结构的组成部分发挥关键作用。
更新日期：2018-09-24
中文翻译：
一维组装在二维上：用于混合光电晶体管的石墨烯上的AuCN纳米线外延。
功能材料的范德华外延提供了一种有趣且有效的方式来控制各种混合二维（2D）系统的电性能。在这里，我们显示了在石墨烯上的半导体一维（1D）原子链AuCN的受控外延组装，并研究了1D / 2D范德瓦尔斯异质结构的电学性质。尽管AuCN链和石墨烯之间的外延排列保持不变，但AuCN纳米线的组装可通过不同的生长条件进行调整。优选的纳米线生长轴的切换表明扩散动力学影响纳米线形成过程。半导体AuCN链赋予1D / 2D杂化系统以2.7 eV以上的能量，对光子具有很强的响应能力，这与AuCN的带隙一致。在使用3.1 eV（400 nm）光子的照明下观察到4 A / W）。我们的研究清楚地表明，一维链结构半导体可以作为多功能范德华异质结构的组成部分发挥关键作用。
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