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Surface Engineering of Quantum Dots for Remarkably High Detectivity Photodetectors
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2018-06-04 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.8b01255 Ting Shen 1 , Bo Li 1 , Kaibo Zheng 2, 3 , Tönu Pullerits 2 , Guozhong Cao 1, 4 , Jianjun Tian 1
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2018-06-04 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.8b01255 Ting Shen 1 , Bo Li 1 , Kaibo Zheng 2, 3 , Tönu Pullerits 2 , Guozhong Cao 1, 4 , Jianjun Tian 1
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Ternary alloyed CdSexTe1–x colloidal QDs trap-passivated by iodide-based ligands (TBAI) are developed as building blocks for UV–NIR photodetectors. Both the few surface traps and high loading of QDs are obtained by in situ ligand exchange with TBAI. The device is sensitive to a broad wavelength range covering the UV–NIR region (300–850 nm), showing an excellent photoresponsivity of 53 mA/W, a fast response time of ≪0.02s, and remarkably high detectivity values of 8 × 1013 Jones at 450 nm and 1 × 1013 Jones at 800 nm without an external bias voltage. Such performance is superior to what has been reported earlier for QD-based photodetectors. The photodetector exhibits excellent stability, keeping 98% of photoelectric responsivity after 2 months of illumination in air even without encapsulation. In addition, the semitransparent device is successfully fabricated using a Ag nanowires/polyimide transparent substrate. Such self-powered photodetectors with fast response speed and a stable, broad-band response are expected to function under a broad range of environmental conditions.
中文翻译：
量子点的表面工程技术，用于极高探测性的光电探测器
三元合金化的CdSe x Te 1 – x胶体量子点被碘化物基配体（TBAI）钝化，被开发为UV-NIR光电探测器的基础。通过与TBAI进行原位配体交换，可以获得很少的表面陷阱和高QD负载量。该器件对覆盖UV-NIR区域的宽波长范围（300-850 nm）敏感，显示出53 mA / W的出色光响应性，≪0.02s的快速响应时间以及8×10的极高检测值13 Jones在450 nm和1×10 13琼斯在800 nm时没有外部偏置电压。这种性能优于先前针对基于QD的光电探测器所报告的性能。该光电探测器具有出色的稳定性，即使在没有封装的情况下，在空气中照射2个月后仍能保持98％的光电响应度。另外，使用Ag纳米线/聚酰亚胺透明基板成功地制造了半透明器件。这种具有快速响应速度和稳定的宽带响应的自供电光电探测器有望在广泛的环境条件下工作。
更新日期：2018-06-04
中文翻译：
量子点的表面工程技术，用于极高探测性的光电探测器
三元合金化的CdSe x Te 1 – x胶体量子点被碘化物基配体（TBAI）钝化，被开发为UV-NIR光电探测器的基础。通过与TBAI进行原位配体交换，可以获得很少的表面陷阱和高QD负载量。该器件对覆盖UV-NIR区域的宽波长范围（300-850 nm）敏感，显示出53 mA / W的出色光响应性，≪0.02s的快速响应时间以及8×10的极高检测值13 Jones在450 nm和1×10 13琼斯在800 nm时没有外部偏置电压。这种性能优于先前针对基于QD的光电探测器所报告的性能。该光电探测器具有出色的稳定性，即使在没有封装的情况下，在空气中照射2个月后仍能保持98％的光电响应度。另外，使用Ag纳米线/聚酰亚胺透明基板成功地制造了半透明器件。这种具有快速响应速度和稳定的宽带响应的自供电光电探测器有望在广泛的环境条件下工作。
京公网安备 11010802027423号