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A Memory Structure with Different Control Gates
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2018-05-17 , DOI: 10.1002/aelm.201800186 Mingzhi Dai 1 , Jianmin Guan 1 , Zhitang Song 2
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2018-05-17 , DOI: 10.1002/aelm.201800186 Mingzhi Dai 1 , Jianmin Guan 1 , Zhitang Song 2
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Memory is a key and fundamental component in integrated circuits (IC). A dominant volatile memory is the dynamic random access memory (DRAM) with one transistor and one capacitor, whose footprint is comparable to about two transistors. Memory structure needs further simplification according to IC's scaling‐down requirement. However, most updated structures at present are still mainly limited in lab. Here, a memory structure with one transistor is demonstrated. The advantages of this new structure over conventional memory structures include the simplification of the structure by saving a capacitor space in DRAM, and thus the simplification of fabrication process. Typical characterization of the memory device is also performed, and very quick response time (≈1 ns), which is faster than most present memories in the foundry, that is, 2 ns or more, is reported. Both simulation and experiments are performed to explain the memory working mechanism. The memory programming functions are implemented through the junction caused by control gate. This structure could be scaled down by using lithography processes in the foundry, which could ensure a fair reliability and enable immediate applications for information technology electronics as a potential alternative candidate for DRAM.
中文翻译：
具有不同控制门的存储器结构
存储器是集成电路（IC）的关键和基本组成部分。占主导地位的易失性存储器是具有一个晶体管和一个电容器的动态随机存取存储器（DRAM），其占地面积可与大约两个晶体管相媲美。根据IC的缩小要求，需要进一步简化存储器结构。但是，目前大多数更新的结构仍主要局限于实验室。在此，说明具有一个晶体管的存储结构。这种新结构相对于常规存储器结构的优点包括通过节省DRAM中的电容器空间来简化结构，从而简化了制造工艺。还执行存储设备的典型表征，并具有非常快的响应时间（≈1ns），这比代工厂中大多数当前的存储器要快，即2 ns或更长，被报道。通过仿真和实验来说明内存的工作机制。存储器编程功能是通过控制门引起的结来实现的。可以通过在晶圆代工厂中使用光刻工艺来缩小此结构的规模，这可以确保公平的可靠性，并使信息技术电子设备可以立即应用，作为DRAM的潜在替代选择。
更新日期：2018-05-17
中文翻译：
具有不同控制门的存储器结构
存储器是集成电路（IC）的关键和基本组成部分。占主导地位的易失性存储器是具有一个晶体管和一个电容器的动态随机存取存储器（DRAM），其占地面积可与大约两个晶体管相媲美。根据IC的缩小要求，需要进一步简化存储器结构。但是，目前大多数更新的结构仍主要局限于实验室。在此，说明具有一个晶体管的存储结构。这种新结构相对于常规存储器结构的优点包括通过节省DRAM中的电容器空间来简化结构，从而简化了制造工艺。还执行存储设备的典型表征，并具有非常快的响应时间（≈1ns），这比代工厂中大多数当前的存储器要快，即2 ns或更长，被报道。通过仿真和实验来说明内存的工作机制。存储器编程功能是通过控制门引起的结来实现的。可以通过在晶圆代工厂中使用光刻工艺来缩小此结构的规模，这可以确保公平的可靠性，并使信息技术电子设备可以立即应用，作为DRAM的潜在替代选择。
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