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A longer-lasting memory in layered semiconductors
Nature Nanotechnology ( IF 38.1 ) Pub Date : 2018-05-04 , DOI: 10.1038/s41565-018-0132-0 Thomas Szkopek
Nature Nanotechnology ( IF 38.1 ) Pub Date : 2018-05-04 , DOI: 10.1038/s41565-018-0132-0 Thomas Szkopek
A longer-lasting memory in layered semiconductors
中文翻译:
分层半导体中的寿命更长的存储器
分层半导体中的寿命更长的存储器
更新日期:2018-05-04
A longer-lasting memory in layered semiconductors, Published online: 04 May 2018; doi:10.1038/s41565-018-0132-0
A volatile memory built by assembly of layered semiconductors into a van der Waals heterostructure gives longer refresh times and an opportunity to improve energy efficiency.中文翻译:
分层半导体中的寿命更长的存储器
分层半导体中的寿命更长的存储器
分层半导体中的更持久存储器,在线发布:2018年5月4日; doi:10.1038 / s41565-018-0132-0
通过将分层半导体组装成范德华异质结构而构建的易失性存储器可提供更长的刷新时间,并有提高能源效率的机会。