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High Performance Amplifier Element Realization via MoS2/GaTe Heterostructures
Advanced Science ( IF 14.3 ) Pub Date : 2018-01-15 , DOI: 10.1002/advs.201700830 Xiao Yan 1 , David Wei Zhang 1 , Chunsen Liu 1 , Wenzhong Bao 1 , Shuiyuan Wang 1 , Shijin Ding 1 , Gengfeng Zheng 2 , Peng Zhou 1
Advanced Science ( IF 14.3 ) Pub Date : 2018-01-15 , DOI: 10.1002/advs.201700830 Xiao Yan 1 , David Wei Zhang 1 , Chunsen Liu 1 , Wenzhong Bao 1 , Shuiyuan Wang 1 , Shijin Ding 1 , Gengfeng Zheng 2 , Peng Zhou 1
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2D layered materials (2DLMs), together with their heterostructures, have been attracting tremendous research interest in recent years because of their unique physical and electrical properties. A variety of circuit elements have been made using mechanically exfoliated 2DLMs recently, including hard drives, detectors, sensors, and complementary metal oxide semiconductor field‐effect transistors. However, 2DLM‐based amplifier circuit elements are rarely studied. Here, the integration of 2DLMs with 3D bulk materials to fabricate vertical junction transistors with current amplification based on a MoS2/GaTe heterostructure is reported. Vertical junction transistors exhibit the typical current amplification characteristics of conventional bulk bipolar junction transistors while having good current transmission coefficients (α ∼ 0.95) and current gain coefficient (β ∼ 7) at room temperature. The devices provide new attractive prospects in the investigation of 2DLM‐based integrated circuits based on amplifier circuits.
中文翻译：
通过 MoS2/GaTe 异质结构实现高性能放大器元件
二维层状材料（2DLM）及其异质结构近年来因其独特的物理和电学特性而引起了巨大的研究兴趣。最近，人们使用机械剥离的 2DLM 制作了各种电路元件，包括硬盘驱动器、探测器、传感器和互补金属氧化物半导体场效应晶体管。然而，基于 2DLM 的放大器电路元件的研究却很少。在此，报道了将 2DLM 与 3D 体材料集成，以制造基于 MoS 2 /GaTe 异质结构的具有电流放大功能的垂直结晶体管。垂直结型晶体管表现出传统体双极结型晶体管的典型电流放大特性，同时在室温下具有良好的电流传输系数（α∼0.95）和电流增益系数（β∼7）。这些器件为基于放大器电路的 2DLM 集成电路的研究提供了新的有吸引力的前景。
更新日期：2018-01-15
中文翻译：
通过 MoS2/GaTe 异质结构实现高性能放大器元件
二维层状材料（2DLM）及其异质结构近年来因其独特的物理和电学特性而引起了巨大的研究兴趣。最近，人们使用机械剥离的 2DLM 制作了各种电路元件，包括硬盘驱动器、探测器、传感器和互补金属氧化物半导体场效应晶体管。然而，基于 2DLM 的放大器电路元件的研究却很少。在此，报道了将 2DLM 与 3D 体材料集成，以制造基于 MoS 2 /GaTe 异质结构的具有电流放大功能的垂直结晶体管。垂直结型晶体管表现出传统体双极结型晶体管的典型电流放大特性，同时在室温下具有良好的电流传输系数（α∼0.95）和电流增益系数（β∼7）。这些器件为基于放大器电路的 2DLM 集成电路的研究提供了新的有吸引力的前景。
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