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Impact of Ultrathin C60 on Perovskite Photovoltaic Devices
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2018-01-05 00:00:00 , DOI: 10.1021/acsnano.7b08561 Dianyi Liu 1 , Qiong Wang 1 , Christopher J. Traverse 1 , Chenchen Yang 1 , Margaret Young 1 , Padmanaban S. Kuttipillai 1 , Sophia Y. Lunt 1 , Thomas W. Hamann 1 , Richard R. Lunt 1
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2018-01-05 00:00:00 , DOI: 10.1021/acsnano.7b08561 Dianyi Liu 1 , Qiong Wang 1 , Christopher J. Traverse 1 , Chenchen Yang 1 , Margaret Young 1 , Padmanaban S. Kuttipillai 1 , Sophia Y. Lunt 1 , Thomas W. Hamann 1 , Richard R. Lunt 1
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Halide perovskite solar cells have seen dramatic progress in performance over the past several years. Certified efficiencies of inverted structure (p-i-n) devices have now exceeded 20%. In these p-i-n devices, fullerene compounds are the most popular electron-transfer materials. However, the full function of fullerenes in perovskite solar cells is still under investigation, and the mechanism of photocurrent hysteresis suppression by fullerene remains unclear. In previous reports, thick fullerene layers (>20 nm) were necessary to fully cover the perovskite film surface to make good contact with perovskite film and avoid large leakage currents. In addition, the solution-processed fullerene layer has been broadly thought to infiltrate into the perovskite film to passivate traps on grain boundary surfaces, causing suppressed photocurrent hysteresis. In this work, we demonstrate an efficient perovskite photovoltaic device with only 1 nm C60 deposited by vapor deposition as the electron-selective material. Utilizing a combination of fluorescence microscopy and impedance spectroscopy, we show that the ultrathin C60 predominately acts to extract electrons from the perovskite film while concomitantly suppressing the photocurrent hysteresis by reducing space charge accumulation at the interface. This work ultimately helps to clarify the dominant role of fullerenes in perovskite solar cells while simplifying perovskite solar cell design to reduce manufacturing costs.
中文翻译：
超薄C 60对钙钛矿光伏器件的影响
在过去的几年中，卤化物钙钛矿太阳能电池的性能取得了巨大进步。倒装结构（引脚）器件的认证效率现已超过20％。在这些别针装置中，富勒烯化合物是最流行的电子传输材料。但是，富勒烯在钙钛矿型太阳能电池中的全部功能仍在研究中，而富勒烯抑制光电流滞后的机理仍不清楚。在以前的报道中，必须有厚的富勒烯层（> 20 nm）才能完全覆盖钙钛矿膜表面，以便与钙钛矿膜良好接触并避免大的泄漏电流。另外，广泛认为溶液处理的富勒烯层渗入钙钛矿膜中以钝化晶界表面上的陷阱，从而抑制了光电流滞后。在这项工作中，我们演示了仅1 nm C 60的高效钙钛矿光伏器件通过气相沉积而沉积为电子选择性材料。利用荧光显微镜和阻抗谱的组合，我们表明，超薄C 60主要作用是从钙钛矿薄膜中提取电子，同时通过减少界面处的空间电荷积聚来抑制光电流滞后。这项工作最终有助于阐明富勒烯在钙钛矿太阳能电池中的主导作用，同时简化钙钛矿太阳能电池的设计以降低制造成本。
更新日期：2018-01-05
中文翻译：
超薄C 60对钙钛矿光伏器件的影响
在过去的几年中，卤化物钙钛矿太阳能电池的性能取得了巨大进步。倒装结构（引脚）器件的认证效率现已超过20％。在这些别针装置中，富勒烯化合物是最流行的电子传输材料。但是，富勒烯在钙钛矿型太阳能电池中的全部功能仍在研究中，而富勒烯抑制光电流滞后的机理仍不清楚。在以前的报道中，必须有厚的富勒烯层（> 20 nm）才能完全覆盖钙钛矿膜表面，以便与钙钛矿膜良好接触并避免大的泄漏电流。另外，广泛认为溶液处理的富勒烯层渗入钙钛矿膜中以钝化晶界表面上的陷阱，从而抑制了光电流滞后。在这项工作中，我们演示了仅1 nm C 60的高效钙钛矿光伏器件通过气相沉积而沉积为电子选择性材料。利用荧光显微镜和阻抗谱的组合，我们表明，超薄C 60主要作用是从钙钛矿薄膜中提取电子，同时通过减少界面处的空间电荷积聚来抑制光电流滞后。这项工作最终有助于阐明富勒烯在钙钛矿太阳能电池中的主导作用，同时简化钙钛矿太阳能电池的设计以降低制造成本。
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