Critical assessment of charge mobility extraction in FETs

Critical assessment of charge mobility extraction in FETs, Published online: 19 December 2017; doi:10.1038/nmat5035

Mobility is an important charge-transport parameter in organic, inorganic and hybrid semiconductors. We outline some of the common pitfalls of mobility extraction from field-effect transistor (FET) measurements and propose practical recommendations to avoid reporting erroneous mobilities in publications.

中文翻译：

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对FET中电荷迁移率提取的严格评估

对FET中电荷迁移率提取的严格评估

FET中电荷迁移率提取的关键评估，在线发布：2017年12月19日; doi：10.1038 / nmat5035

迁移率是有机，无机和混合半导体中重要的电荷传输参数。我们概述了从场效应晶体管（FET）测量中提取迁移率的一些常见陷阱，并提出了实用建议，以避免在出版物中报告错误的迁移率。