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Memory Devices: Low‐Power Nonvolatile Charge Storage Memory Based on MoS2 and an Ultrathin Polymer Tunneling Dielectric (Adv. Funct. Mater. 43/2017)
Advanced Functional Materials ( IF 18.5 ) Pub Date : 2017-11-15 , DOI: 10.1002/adfm.201770254 Myung Hun Woo 1 , Byung Chul Jang 1 , Junhwan Choi 2 , Khang June Lee 1 , Gwang Hyuk Shin 1 , Hyejeong Seong 2 , Sung Gap Im 2 , Sung-Yool Choi 1
Advanced Functional Materials ( IF 18.5 ) Pub Date : 2017-11-15 , DOI: 10.1002/adfm.201770254 Myung Hun Woo 1 , Byung Chul Jang 1 , Junhwan Choi 2 , Khang June Lee 1 , Gwang Hyuk Shin 1 , Hyejeong Seong 2 , Sung Gap Im 2 , Sung-Yool Choi 1
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In article number 1703545, Sung‐Yool Choi and co‐workers describe MoS2‐based low‐power nonvolatile charge storage memory devices with a poly(1,3,5‐trimethyl‐1,3,5‐trivinyl cyclotrisiloxane) (pV3D3) tunneling dielectric layer formed via a solvent‐free initiated chemical vapor deposition (iCVD) process. The developed memory devices show excellent retention times (above 10 years), and a stable cycling endurance of more than 103 cycles at low operating voltage.
中文翻译：
存储器设备：基于MoS2和超薄聚合物隧穿电介质的低功耗非易失性电荷存储存储器（Adv。Funct。Mater。43/2017）
Sung-Yool Choi及其同事在文章编号1703545中描述了基于MoS 2的低功率非易失性电荷存储存储设备，带有聚（1,3,5-三甲基-1,3,5-三乙烯基环三硅氧烷）（pV3D3）隧道介电层是通过无溶剂引发的化学气相沉积（iCVD）工艺形成的。开发的存储设备显示出出色的保留时间（超过10年），并且在低工作电压下具有超过10 3个循环的稳定循环寿命。
更新日期：2017-11-15
中文翻译：
存储器设备：基于MoS2和超薄聚合物隧穿电介质的低功耗非易失性电荷存储存储器（Adv。Funct。Mater。43/2017）
Sung-Yool Choi及其同事在文章编号1703545中描述了基于MoS 2的低功率非易失性电荷存储存储设备，带有聚（1,3,5-三甲基-1,3,5-三乙烯基环三硅氧烷）（pV3D3）隧道介电层是通过无溶剂引发的化学气相沉积（iCVD）工艺形成的。开发的存储设备显示出出色的保留时间（超过10年），并且在低工作电压下具有超过10 3个循环的稳定循环寿命。
京公网安备 11010802027423号