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Homogenous Dispersion of MoS2 Nanosheets in Polyindole Matrix at Air–Water Interface Assisted by Langmuir Technique
Langmuir ( IF 3.7 ) Pub Date : 2017-11-13 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.langmuir.7b03019 Richa Mishra 1 , Narsingh R. Nirala 1 , Rajiv Kumar Pandey 1 , Ravi Prakash Ojha 1 , Rajiv Prakash 1
Langmuir ( IF 3.7 ) Pub Date : 2017-11-13 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.langmuir.7b03019 Richa Mishra 1 , Narsingh R. Nirala 1 , Rajiv Kumar Pandey 1 , Ravi Prakash Ojha 1 , Rajiv Prakash 1
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Two-dimensional (2D) inorganic layered materials when embedded in organic polymer matrix exhibit exotic properties that are grabbing contemporary attention for various applications. Here, nanosheet morphology of molybdenum disufide (MoS2) synthesized via one-pot facile hydrothermal reaction are exfoliated in benign aqueous medium in the presence of indole to obtain a stable dispersion. These exfoliated nanosheets then act as host to template the controlled polymerization of indole. The preassembled MoS2-polyindole (MoS2–PIn) nanostructures are reorganized at the air–water interface using the Langmuir method to facilitate maximum interfacial interaction between nanosheet and polymer. This report emphasizes large area, homogeneous dispersion of uniform-sized MoS2 nanosheets (40–60 nm diameter) in the PIn matrix and the formation of stable and uniform film via the Langmuir–Schaefer (LS) method. These self-assembled, MoS2 decorated PIn LS films are characterized using atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). The fabricated LS films in sandwiched structure Al/MoS2–PIn/ITO as the Schottky diode portrayed remarkable enhancements in charge transport properties. Our study illustrates the potential of the MoS2–PIn LS film in electronic applications and opens a new dimension for uniform dispersion of 2D materials in other polymers via the Langmuir method for device fabrication and enhancement of electrical properties.
中文翻译：
朗缪尔技术辅助下的MoS 2纳米片在空气-水界面的聚吲哚基体中的均匀分散
二维（2D）无机层状材料嵌入有机聚合物基质中时，表现出奇异的性能，正在引起当今各种应用的关注。在此，将通过一锅法简单的水热反应合成的二硫化钼（MoS 2）的纳米片形态在吲哚存在下在良性水性介质中剥离，以获得稳定的分散体。然后，这些剥离的纳米片充当主体以模板化吲哚的受控聚合。预组装的MoS 2-聚吲哚（MoS 2-PIn）纳米结构使用朗缪尔（Langmuir）方法在空气-水界面处重组，以促进纳米片与聚合物之间的最大界面相互作用。该报告强调了均匀尺寸的MoS 2纳米片（直径40-60 nm）在PIn基质中的大面积均匀分散，并通过Langmuir-Schaefer（LS）方法形成了稳定均匀的薄膜。这些自组装的，MoS 2装饰的PIn LS薄膜使用原子力显微镜（AFM）和透射电子显微镜（TEM）进行表征。夹层结构Al / MoS 2 -PIn / ITO作为肖特基二极管制成的LS薄膜在电荷传输性能方面有显着提高。我们的研究表明了MoS 2的潜力–PIn LS薄膜在电子应用中的应用，通过Langmuir方法为设备制造和增强电性能提供了一个新的维度，可将2D材料均匀分散在其他聚合物中。
更新日期：2017-11-14
中文翻译：
朗缪尔技术辅助下的MoS 2纳米片在空气-水界面的聚吲哚基体中的均匀分散
二维（2D）无机层状材料嵌入有机聚合物基质中时，表现出奇异的性能，正在引起当今各种应用的关注。在此，将通过一锅法简单的水热反应合成的二硫化钼（MoS 2）的纳米片形态在吲哚存在下在良性水性介质中剥离，以获得稳定的分散体。然后，这些剥离的纳米片充当主体以模板化吲哚的受控聚合。预组装的MoS 2-聚吲哚（MoS 2-PIn）纳米结构使用朗缪尔（Langmuir）方法在空气-水界面处重组，以促进纳米片与聚合物之间的最大界面相互作用。该报告强调了均匀尺寸的MoS 2纳米片（直径40-60 nm）在PIn基质中的大面积均匀分散，并通过Langmuir-Schaefer（LS）方法形成了稳定均匀的薄膜。这些自组装的，MoS 2装饰的PIn LS薄膜使用原子力显微镜（AFM）和透射电子显微镜（TEM）进行表征。夹层结构Al / MoS 2 -PIn / ITO作为肖特基二极管制成的LS薄膜在电荷传输性能方面有显着提高。我们的研究表明了MoS 2的潜力–PIn LS薄膜在电子应用中的应用，通过Langmuir方法为设备制造和增强电性能提供了一个新的维度，可将2D材料均匀分散在其他聚合物中。
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