Beating the thermodynamic limit with photo-activation of n-doping in organic semiconductors

Beating the thermodynamic limit with photo-activation of n-doping in organic semiconductors, Published online: 13 November 2017; doi:10.1038/nmat5027

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The activation of cleavable organometallic dimers upon exposure to ultraviolet radiation allows air-stable n-type doping of organic materials with electron affinity lower than the expected thermodynamic reducing strength of the dimers.

, isJats=true)

中文翻译：

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通过光激活有机半导体中的n掺杂来突破热力学极限

通过光激活有机半导体中的n掺杂来突破热力学极限

通过光激活有机半导体中的n掺杂打破热力学极限，在线发布：2017年11月13日；doi：10.1038 / nmat5027

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在暴露于紫外线下时，可裂解的有机金属二聚体的活化使有机材料的空气稳定的n型掺杂具有比二聚体预期的热力学降低强度低的电子亲和力。

，isJats = true）