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Electrodeposited Poly(thieno[3,2-b]thiophene) Films for the Templateless Formation of Porous Structures by Galvanostatic and Pulse Deposition.
ChemPlusChem ( IF 3.0 ) Pub Date : 2017-11-01 , DOI: 10.1002/cplu.201700389 Gabriela Ramos Chagas 1 , Raziyeh Akbari 2 , Guilhem Godeau 1 , Mohammadreza Mohammadizadeh 2 , Frédéric Guittard 1 , Thierry Darmanin 1
ChemPlusChem ( IF 3.0 ) Pub Date : 2017-11-01 , DOI: 10.1002/cplu.201700389 Gabriela Ramos Chagas 1 , Raziyeh Akbari 2 , Guilhem Godeau 1 , Mohammadreza Mohammadizadeh 2 , Frédéric Guittard 1 , Thierry Darmanin 1
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The formation of porous nanostructures by using a templateless electropolymerization process with thieno[3,2-b]thiophene as a monomer and two different deposition methods (galvanostatic and pulse potentiostatic deposition) has been studied. The wettability, roughness, and morphology of the surfaces are reported. The surfaces prepared by galvanostatic deposition show hydrophilic behavior (θw ≈80°) that is highly dependent on the roughness. Nanoseeds were formed in the first instances followed by the formation of large microcapsules and hollow spheres. Indeed, as the deposition time and current density increase, the size and amount of structures also increase. By pulse deposition, the surfaces are hydrophobic (θw ≈100°) and only show a roughness dependence if the mean surface roughness is >1.5 μm. The surfaces are formed from nanodomes and nanospheres, but they are less structured than that of surfaces produced by the galvanostatic method. The formation of these structures is directly related to the amount of gas released from trace water in situ during electropolymerization, which is highly dependent on the electrochemical method chosen. The formation of new seeds is highly favored by the galvanostatic method, whereas their growth is favored by the pulse deposition method. This is the first study on the use of galvanostatic and pulse deposition methods, with potential applications in surface chemistry. Thieno[3,2-b]thiophene proved to be very versatile to form different structures with potential applications as water harvesting and separation membranes.
中文翻译：
电沉积聚（噻吩并[3,2-b]噻吩）薄膜，用于通过恒电流和脉冲沉积形成无模板的多孔结构。
研究了通过以噻吩并[3,2-b]噻吩为单体的无模板电聚合工艺形成多孔纳米结构，并研究了两种不同的沉积方法（恒电流沉积和脉冲恒电位沉积）。报告了表面的润湿性，粗糙度和形态。通过恒电流沉积制备的表面表现出高度依赖于粗糙度的亲水行为（θw≈80°）。最初是形成纳米种子，然后形成大的微囊和空心球。实际上，随着沉积时间和电流密度的增加，结构的尺寸和数量也增加。通过脉冲沉积，表面具有疏水性（θw≈100°），并且仅在平均表面粗糙度> 1.5μm时才显示出粗糙度依赖性。表面由纳米球和纳米球形成，但是它们比通过恒电流法生产的表面的结构更少。这些结构的形成与电聚合过程中从现场微量水释放出的气体量直接相关，这在很大程度上取决于所选的电化学方法。恒电流法高度有利于新种子的形成，而脉冲沉积法则有利于新种子的生长。这是使用恒电流和脉冲沉积方法的首次研究，在表面化学中具有潜在的应用。噻吩并[3,2-b]噻吩被证明具有很强的通用性，可以形成不同的结构，具有潜在的应用，如集水和分离膜。但它们的结构不如采用恒电流法生产的表面那么结构化。这些结构的形成与电聚合过程中从现场微量水释放出的气体量直接相关，这在很大程度上取决于所选的电化学方法。恒电流法高度有利于新种子的形成，而脉冲沉积法则有利于新种子的生长。这是使用恒电流和脉冲沉积方法的首次研究，在表面化学中具有潜在的应用。噻吩并[3,2-b]噻吩被证明具有很强的通用性，可以形成不同的结构，具有潜在的应用，如集水和分离膜。但它们的结构不如采用恒电流法生产的表面那么结构化。这些结构的形成与电聚合过程中从现场微量水释放出的气体量直接相关，这在很大程度上取决于所选的电化学方法。恒电流法高度有利于新种子的形成，而脉冲沉积法则有利于新种子的生长。这是使用恒电流和脉冲沉积方法的首次研究，在表面化学中具有潜在的应用。噻吩并[3,2-b]噻吩被证明具有很强的通用性，可以形成不同的结构，具有潜在的应用，如集水和分离膜。这些结构的形成与电聚合过程中从现场微量水释放出的气体量直接相关，这在很大程度上取决于所选的电化学方法。恒电流法高度有利于新种子的形成，而脉冲沉积法则有利于新种子的生长。这是使用恒电流和脉冲沉积方法的首次研究，在表面化学中具有潜在的应用。噻吩并[3,2-b]噻吩被证明是非常通用的，可以形成不同的结构，具有潜在的应用，如集水和分离膜。这些结构的形成与电聚合过程中从现场微量水释放出的气体量直接相关，这在很大程度上取决于所选的电化学方法。恒电流法高度有利于新种子的形成，而脉冲沉积法则有利于新种子的生长。这是使用恒电流和脉冲沉积方法的首次研究，在表面化学中具有潜在的应用。噻吩并[3,2-b]噻吩被证明具有很强的通用性，可以形成不同的结构，具有潜在的应用，如集水和分离膜。这是使用恒电流和脉冲沉积方法的首次研究，在表面化学中具有潜在的应用。噻吩并[3,2-b]噻吩被证明具有很强的通用性，可以形成不同的结构，具有潜在的应用，如集水和分离膜。这是使用恒电流和脉冲沉积方法的首次研究，在表面化学中具有潜在的应用。噻吩并[3,2-b]噻吩被证明具有很强的通用性，可以形成不同的结构，具有潜在的应用，如集水和分离膜。
更新日期：2017-12-06
中文翻译：
电沉积聚（噻吩并[3,2-b]噻吩）薄膜，用于通过恒电流和脉冲沉积形成无模板的多孔结构。
研究了通过以噻吩并[3,2-b]噻吩为单体的无模板电聚合工艺形成多孔纳米结构，并研究了两种不同的沉积方法（恒电流沉积和脉冲恒电位沉积）。报告了表面的润湿性，粗糙度和形态。通过恒电流沉积制备的表面表现出高度依赖于粗糙度的亲水行为（θw≈80°）。最初是形成纳米种子，然后形成大的微囊和空心球。实际上，随着沉积时间和电流密度的增加，结构的尺寸和数量也增加。通过脉冲沉积，表面具有疏水性（θw≈100°），并且仅在平均表面粗糙度> 1.5μm时才显示出粗糙度依赖性。表面由纳米球和纳米球形成，但是它们比通过恒电流法生产的表面的结构更少。这些结构的形成与电聚合过程中从现场微量水释放出的气体量直接相关，这在很大程度上取决于所选的电化学方法。恒电流法高度有利于新种子的形成，而脉冲沉积法则有利于新种子的生长。这是使用恒电流和脉冲沉积方法的首次研究，在表面化学中具有潜在的应用。噻吩并[3,2-b]噻吩被证明具有很强的通用性，可以形成不同的结构，具有潜在的应用，如集水和分离膜。但它们的结构不如采用恒电流法生产的表面那么结构化。这些结构的形成与电聚合过程中从现场微量水释放出的气体量直接相关，这在很大程度上取决于所选的电化学方法。恒电流法高度有利于新种子的形成，而脉冲沉积法则有利于新种子的生长。这是使用恒电流和脉冲沉积方法的首次研究，在表面化学中具有潜在的应用。噻吩并[3,2-b]噻吩被证明具有很强的通用性，可以形成不同的结构，具有潜在的应用，如集水和分离膜。但它们的结构不如采用恒电流法生产的表面那么结构化。这些结构的形成与电聚合过程中从现场微量水释放出的气体量直接相关，这在很大程度上取决于所选的电化学方法。恒电流法高度有利于新种子的形成，而脉冲沉积法则有利于新种子的生长。这是使用恒电流和脉冲沉积方法的首次研究，在表面化学中具有潜在的应用。噻吩并[3,2-b]噻吩被证明具有很强的通用性，可以形成不同的结构，具有潜在的应用，如集水和分离膜。这些结构的形成与电聚合过程中从现场微量水释放出的气体量直接相关，这在很大程度上取决于所选的电化学方法。恒电流法高度有利于新种子的形成，而脉冲沉积法则有利于新种子的生长。这是使用恒电流和脉冲沉积方法的首次研究，在表面化学中具有潜在的应用。噻吩并[3,2-b]噻吩被证明是非常通用的，可以形成不同的结构，具有潜在的应用，如集水和分离膜。这些结构的形成与电聚合过程中从现场微量水释放出的气体量直接相关，这在很大程度上取决于所选的电化学方法。恒电流法高度有利于新种子的形成，而脉冲沉积法则有利于新种子的生长。这是使用恒电流和脉冲沉积方法的首次研究，在表面化学中具有潜在的应用。噻吩并[3,2-b]噻吩被证明具有很强的通用性，可以形成不同的结构，具有潜在的应用，如集水和分离膜。这是使用恒电流和脉冲沉积方法的首次研究，在表面化学中具有潜在的应用。噻吩并[3,2-b]噻吩被证明具有很强的通用性，可以形成不同的结构，具有潜在的应用，如集水和分离膜。这是使用恒电流和脉冲沉积方法的首次研究，在表面化学中具有潜在的应用。噻吩并[3,2-b]噻吩被证明具有很强的通用性，可以形成不同的结构，具有潜在的应用，如集水和分离膜。
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