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Single‐Electron Transistors: Bottom‐Up Single‐Electron Transistors (Adv. Mater. 42/2017)
Advanced Materials ( IF 27.4 ) Pub Date : 2017-11-08 , DOI: 10.1002/adma.201770302 Ksenia S. Makarenko 1 , Zhihua Liu 1 , Michel P. de Jong 1 , Floris A. Zwanenburg 1 , Jurriaan Huskens 2 , Wilfred G. van der Wiel 1
Advanced Materials ( IF 27.4 ) Pub Date : 2017-11-08 , DOI: 10.1002/adma.201770302 Ksenia S. Makarenko 1 , Zhihua Liu 1 , Michel P. de Jong 1 , Floris A. Zwanenburg 1 , Jurriaan Huskens 2 , Wilfred G. van der Wiel 1
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In article number 1702920, Ksenia S. Makarenko, Zhihua Liu, Wilfred G. van der Wiel, and co‐workers present single‐electron transistors (SETs) that are fabricated by a novel bottomup approach. The SETs are based on the self‐assembly of a single Au nanoparticle between two Au nanorods prior to deposition on a substrate. Individual assemblies are contacted to source and drain contacts and electrostatically tuned by a back‐gate electrode, and exhibit high‐quality single‐electron transport characteristics.
中文翻译：
单电子晶体管：自下而上的单电子晶体管（Adv。Mater。42/2017）
在编号1702920中，Ksenia S. Makarenko，刘志华，Wilfred G. van der Wiel和同事们提出了通过新颖的自下而上方法制造的单电子晶体管（SET）。SETs是基于在两个金纳米棒之间沉积之前在单个金纳米棒之间的单个金纳米颗粒的自组装。单个组件与源极和漏极触点接触，并通过背栅电极进行静电调谐，并表现出高质量的单电子传输特性。
更新日期：2017-11-08
中文翻译：
单电子晶体管：自下而上的单电子晶体管（Adv。Mater。42/2017）
在编号1702920中，Ksenia S. Makarenko，刘志华，Wilfred G. van der Wiel和同事们提出了通过新颖的自下而上方法制造的单电子晶体管（SET）。SETs是基于在两个金纳米棒之间沉积之前在单个金纳米棒之间的单个金纳米颗粒的自组装。单个组件与源极和漏极触点接触，并通过背栅电极进行静电调谐，并表现出高质量的单电子传输特性。
京公网安备 11010802027423号