晶相与轴向对砷化铟纳米线电学特性影响研究

北京大学陈清教授研究组结合器件微纳加工工艺与扫描电镜中的原位探针技术发展出一种新方法，可将已制作成为场效应晶体管沟道的砷化铟纳米线在完成室温及低温电学测量后，转移至透射电子显微镜中进行原子尺度的结构表征，实现器件性能与结构的一一对应。该方法在纳米线材料电学性质与晶体结构的关联性研究上具有普适性。并且由于其具有对材料损伤性小、制样简单、定位性高等特点，为固态器件的材料结构表征提供了新思路。

利用上述方法，针对合作者中国科学院半导体所的赵建华教授研究组提供的分子束外延法生长的不同晶体结构的高质量单晶砷化铟纳米线，陈清教授研究组结合系统的电学测量与结构表征发现，立方闪锌矿结构（ZB）的砷化铟纳米线比六方纤锌矿结构（WZ）的纳米线具有更高的电子迁移率和电导率，略小的能隙宽度以及更低的亚阈值性能。而晶向对于砷化铟纳米线电学性能的影响主要集中在其亚阈值性能（包括开关比、阈值电压以及亚阈值摆幅等）方面。

这一研究成果发表于《Nano Letters》上。

http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.nanolett.6b00045

原文：Crystal Phase- and Orientation-Dependent Electrical Transport Properties of InAs Nanowires

Nano Lett., 2016, 16, 2478-2484, DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b00045

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