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Al2O3 Underlayer Prepared by Atomic Layer Deposition for Efficient Perovskite Solar Cells
ChemSusChem ( IF 7.5 ) Pub Date : 2017-09-21 09:02:43 , DOI: 10.1002/cssc.201701160 Jinbao Zhang 1, 2 , Adam Hultqvist 3 , Tian Zhang 2 , Liangcong Jiang 2 , Changqing Ruan 4 , Li Yang 4 , Yibing Cheng 2 , Marika Edoff 3 , Erik M. J. Johansson 1
ChemSusChem ( IF 7.5 ) Pub Date : 2017-09-21 09:02:43 , DOI: 10.1002/cssc.201701160 Jinbao Zhang 1, 2 , Adam Hultqvist 3 , Tian Zhang 2 , Liangcong Jiang 2 , Changqing Ruan 4 , Li Yang 4 , Yibing Cheng 2 , Marika Edoff 3 , Erik M. J. Johansson 1
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Tunneling through the underlayer! Atomic layer deposition (ALD) is used to prepare a compact Al2O3 underlayer for perovskite solar cells. The thickness of the Al2O3 layer can be controlled well by adjusting the deposition cycles during the ALD process. The Al2O3 layer can effectively block electron recombination at the perovskite/fluorine-doped tin oxide interface and can sufficiently transport the electrons through tunneling.
中文翻译：
原子层沉积制备高效钙钛矿太阳能电池用Al2O3底层
穿过底层隧道！原子层沉积（ALD）用于制备用于钙钛矿型太阳能电池的紧凑型Al 2 O 3底层。通过在ALD工艺期间调节沉积循环，可以很好地控制Al 2 O 3层的厚度。Al 2 O 3层可以有效地阻止钙钛矿/氟掺杂的氧化锡界面处的电子复合，并且可以通过隧穿充分传输电子。
更新日期：2017-09-21
中文翻译：
原子层沉积制备高效钙钛矿太阳能电池用Al2O3底层
穿过底层隧道！原子层沉积（ALD）用于制备用于钙钛矿型太阳能电池的紧凑型Al 2 O 3底层。通过在ALD工艺期间调节沉积循环，可以很好地控制Al 2 O 3层的厚度。Al 2 O 3层可以有效地阻止钙钛矿/氟掺杂的氧化锡界面处的电子复合，并且可以通过隧穿充分传输电子。
京公网安备 11010802027423号