Abstract We report that a H 2 -free atmosphere is essential for the initial stage of metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) growth of GaN on β -Ga 2 O 3 to prevent the surface from damage. A simple growth method is proposed that can easily transfer established GaN growth recipes from sapphire to β -Ga 2 O 3 with both (−2 0 1) and (1 0 0) orientations. This method features a thin AlN nucleation layer grown below 900 °C in N 2 atmosphere to protect the surface of β -Ga 2 O 3 from deterioration during further growth under the H 2 atmosphere. Based on this, we demonstrate working violet vertical light emitting diodes (VLEDs) on n-conductive β -Ga 2 O 3 substrates.

中文翻译：

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紫光 GaN LED 在 β-Ga 2 O 3 基板上的 MOVPE 生长

摘要 我们报告说，无 H 2 气氛对于 GaN 在 β -Ga 2 O 3 上的金属有机气相外延 (MOVPE) 生长的初始阶段是必不可少的，以防止表面受到损坏。提出了一种简单的生长方法，可以轻松地将已建立的 GaN 生长配方从蓝宝石转移到具有 (-2 0 1) 和 (1 0 0) 取向的 β -Ga 2 O 3 。该方法具有在 N 2 气氛中在 900°C 以下生长的薄 AlN 成核层，以保护 β -Ga 2 O 3 的表面在 H 2 气氛下进一步生长过程中不会恶化。基于此，我们展示了在 n 导电 β -Ga 2 O 3 衬底上工作的紫色垂直发光二极管 (VLED)。