当前位置：
X-MOL 学术
›
Nano Lett.
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
Epitaxial Nanoflag Photonics: Semiconductor Nanoemitters Grown with Their Nanoantennas
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2017-09-06 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b02283 Ofir Sorias 1 , Alexander Kelrich 1 , Ran Gladstone 1 , Dan Ritter 1 , Meir Orenstein 1
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2017-09-06 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b02283 Ofir Sorias 1 , Alexander Kelrich 1 , Ran Gladstone 1 , Dan Ritter 1 , Meir Orenstein 1
Affiliation
|
Semiconductor nanostructures are desirable for electronics, photonics, quantum circuitry, and energy conversion applications as well as for fundamental science. In photonics, optical nanoantennas mediate the large size difference between photons and semiconductor nanoemitters or detectors and hence are instrumental for exhibiting high efficiency. In this work we present epitaxially grown InP nanoflags as optically active nanostructures encapsulating the desired characteristics of a photonic emitter and an efficient epitaxial nanoantenna. We experimentally characterize the polarized and directional emission of the nanoflag–antenna and show the control of these properties by means of structure, dimensions, and constituents. We analyze field enhancement and light extraction by the semiconductor nanoflag antenna, which yield comparable values to enhancement factors of metallic plasmonic antennas. We incorporated quantum emitters within the nanoflag structure and characterized their emission properties. Merging of active nanoemitters with nanoantennas at a single growth process enables a new class of devices to be used in nanophotonics applications.
中文翻译：
外延纳米旗光子学：半导体纳米发射器与他们的纳米天线一起成长。
半导体纳米结构对于电子，光子学，量子电路，能量转换应用以及基础科学是理想的。在光子学中，光学纳米天线介导了光子与半导体纳米发射器或检测器之间的大尺寸差异，因此有助于展现高效率。在这项工作中，我们提出外延生长的InP纳米标记作为光学活性纳米结构，封装了光子发射器和有效的外延纳米天线的所需特性。我们通过实验表征了纳米旗天线的极化和定向发射，并通过结构，尺寸和组成部分展示了对这些特性的控制。我们分析了半导体纳米旗天线的场增强和光提取，其产生的值可与金属等离激元天线的增强因子相媲美。我们将量子发射器纳入了纳米标记结构中，并对其发射特性进行了表征。在单个生长过程中将有源纳米发射器与纳米天线融合在一起，就可以将一类新型器件用于纳米光子学应用中。
更新日期：2017-09-06
中文翻译：
外延纳米旗光子学：半导体纳米发射器与他们的纳米天线一起成长。
半导体纳米结构对于电子，光子学，量子电路，能量转换应用以及基础科学是理想的。在光子学中，光学纳米天线介导了光子与半导体纳米发射器或检测器之间的大尺寸差异，因此有助于展现高效率。在这项工作中，我们提出外延生长的InP纳米标记作为光学活性纳米结构，封装了光子发射器和有效的外延纳米天线的所需特性。我们通过实验表征了纳米旗天线的极化和定向发射，并通过结构，尺寸和组成部分展示了对这些特性的控制。我们分析了半导体纳米旗天线的场增强和光提取，其产生的值可与金属等离激元天线的增强因子相媲美。我们将量子发射器纳入了纳米标记结构中，并对其发射特性进行了表征。在单个生长过程中将有源纳米发射器与纳米天线融合在一起，就可以将一类新型器件用于纳米光子学应用中。
京公网安备 11010802027423号