Valley magnetoelectricity in single-layer MoS₂

Nature Materials, Published online: 10 July 2017; doi:10.1038/nmat4931

Valley magnetization in single-layer MoS₂ is demonstrated by breaking the three-fold rotational symmetry via uniaxial stress. The results are consistent with a theoretical model of valley magnetoelectricity driven by Berry curvature effects.

中文翻译：

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单层MoS2中的谷磁电

单层MoS _2中的谷磁电

《自然材料》，在线发布：2017年7月10日；doi：10.1038 / nmat4931

通过单轴应力破坏三重旋转对称性，证明了单层MoS _2中的谷磁化。结果与由贝里曲率效应驱动的谷磁电理论模型一致。