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Group‐III Sesquioxides: Growth, Physical Properties and Devices
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2017-07-04 , DOI: 10.1002/aelm.201600350 Holger von Wenckstern 1
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2017-07-04 , DOI: 10.1002/aelm.201600350 Holger von Wenckstern 1
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The group‐III sesquioxides possess material properties that render them interesting for applications such as high‐power rectifiers and transistors, solar‐blind UV detectors and inter‐sub‐band infrared detectors. Technology for growing large, single‐crystalline bulk material and for wafer fabrication exists, enabling homoepitaxial growth of thin films with high crystalline quality. The bandgap can be tuned in an energy range from about 4 to 8 eV for the ternary alloys and allows growth of heterostructures with large band offset. Here, past results and recent investigations on the growth, the material properties, contact fabrication and the alloying of group‐III sesquioxides are reviewed, and an overview on demonstrator devices is provided.
中文翻译：
III族倍半氧化物：生长，物理性质和装置
Ⅲ族倍半氧化物具有材料特性，使其在大功率整流器和晶体管，太阳盲紫外探测器和子带间红外探测器等应用中引起关注。存在用于生长大的单晶散装材料和晶片制造的技术，该技术可以实现具有高结晶质量的薄膜的同质外延生长。对于三元合金，带隙可以在大约4至8 eV的能量范围内进行调整，并允许以较大的带隙偏移生长异质结构。在此，回顾了过去的结果以及有关III族倍半氧化物的生长，材料性能，触点制造和合金化的最新研究，并提供了演示装置的概述。
更新日期：2017-07-04
中文翻译：
III族倍半氧化物：生长，物理性质和装置
Ⅲ族倍半氧化物具有材料特性，使其在大功率整流器和晶体管，太阳盲紫外探测器和子带间红外探测器等应用中引起关注。存在用于生长大的单晶散装材料和晶片制造的技术，该技术可以实现具有高结晶质量的薄膜的同质外延生长。对于三元合金，带隙可以在大约4至8 eV的能量范围内进行调整，并允许以较大的带隙偏移生长异质结构。在此，回顾了过去的结果以及有关III族倍半氧化物的生长，材料性能，触点制造和合金化的最新研究，并提供了演示装置的概述。
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