殷景志 - 吉林大学 - 电子科学与工程学院

个人简介

受教育经历 1998/09 – 2002/06，吉林大学，电子科学与工程学院微电子系，博士 1984/09 – 1987/06，吉林大学，电子科学系，硕士 1978/09 – 1982/06，吉林大学，半导体系，学士研究工作经历 2008/12-现在，吉林大学，电子科学与工程学院微电子系，教授 2010/03-2011/03，Nanyang Technological University，School of Electrical & Electronic Engineering，访问学者 2004/10-2008/12，吉林大学，电子科学与工程学院微电子系，教授 2003/03-2005/03，中科院长春光学精密机械与物理研究所，激发态室，在职博士后 2000/06-2004/10，吉林大学，电子科学与工程学院微电子系，副教授 1988/12-2000/06，吉林工业大学，理学院物理系，副教授 1987/06-1988/12，哈尔滨工业大学，理学院物理系，讲师 1982/06-1984/09，电子工业部第四十九所，六室，助工

研究领域

1.半导体光电材料的生长 2.光电器件的设计和制作

近期论文

查看导师最新文章（温馨提示：请注意重名现象，建议点开原文通过作者单位确认）

1.Yingtian Xu, Jun Dai, Zhifeng Shi, Beihong Long, Bin Wu, Xupu Cai, Xianwei Chu,Guotong Du, Baolin Zhang, Jingzhi Yin*. Fabricating ZnO single microwire light-emitting diode with transparent conductive ITO film. Journal of Luminescence, 149: 313–316, 2014. 2.YINGTIAN XU, YING LI, BEIHONG LONG, YAN MA, GUOTONG DU, JINGZHI YIN*, Influence of noise mechanism on zero-bias resistance junction-area product in In0.53Ga0.47As photovoltaic infrared detector, JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS, 16: 276 – 282, 2014. 3.YINGTIAN XU, YING LI, BEIHONG LONG, YAN MA, GUOTONG DU, JINGZHI YIN*. Studying the influence of material parameters on quantum efficiency of In0.53Ga0.47As photovoltaic detector. OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS – RAPID COMMUNICATIONS. 6: 1009–1014, 2012. 4.Yuchun Chang, Bao Shi, Longhai Li, Jingzhi Yin*, Fubin Gao, Guotong Du, Yixin Jin. Probing into the effect of Auger recombination mechanism on zero bias resistance–area product in In1−xGaxAs detector. Solid State Communications, 151: 1953–1957, 2011. 5.Yuchun Chang, Tao Wang, Fei Yin, Jingwei Wang, Zhenyu Song,Yiding Wang, Jingzhi Yin*. InAs/GaSb superlattices grown by LP-MOCVD for~10mm wavelength infrared range. Infrared Physics & Technology, 54: 478–481, 2011. 6.CHANG Yu-chun, TIAN Chang-xin, MA Yan, YIN Jing-zhi*, GAO Qiang, WANG Yi-ding, GAO Fu-bin, DU Guo-tong. Influence of temperature on Auger recombination lifetime in In1-xGaxAs materials. Optoelectronics Letters, 6(1): 0031-0033, 2010.