马晓华 - 西安电子科技大学

个人简介

个人简介马晓华，陕西勉县人，西安电子科技大学微电子学院副院长，教授，博士生导师，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室主任，国家工程中心主任。教育部“长江学者”特聘教授，国务院特殊津贴获得者，国家重点研发计划首席专家。获国家“万人计划”科技创新领军人才和“教育部新世纪优秀人才”称号，同时也是我国首批“国防卓越青年基金支持计划”支持者和陕西省科技创新团队负责人。马晓华教授长期从事宽禁带半导体高功率微波电子学领域的研究和人才培养，是国内较早开展宽禁带半导体氮化镓(GaN)基微波器件和电路的研究者。尤其是在高效率微波功率器件结构创新、工艺优化实现及其在极端环境下的可靠性和稳定性研究中取得了创新性和应用性的成果。先后主持“核高基”科技重大专项、“863计划”、自然科学基金重点项目等国家级项目20余项。研究成果获国家科技进步二等奖1项省部级一等奖5项；发表SCI论文120余篇，获国家发明专利授权80余件。科学研究先后主持和参与国家级项目20余项，作为课题负责人，主持了973重大课题、国家重大专项等大型项目。作为项目主要负责人之一，研制了GaN高工作电压高效率微波功率器件，性能在国内处于领先地位。先后获得教育部科技进步一等奖（2007年）、陕西省科技进步一等奖（2012年）,获得国家发明专利17项；发表学术论文60余篇，其中SCI收录50余篇。荣誉获奖先后获得教育部科技进步一等奖（2007年）、陕西省科技进步一等奖（2012年）,获得国家发明专利17项；发表学术论文60余篇，其中SCI收录50余篇。招生要求关于研究生招生的信息：有志于从事微电子器件、工艺研究以及器件可靠性方面的学生，具有一定的半导体器件物理基础。

研究领域

宽禁带半导体材料与器件，微波集成电路，半导体器件及其可靠性。

近期论文

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最近两年代表性论文： 1.Zhu,J.J.,X.H.Ma*,B.Hou,W.W.ChenandY.Hao(2014)."InvestigationofgateleakagemechanisminAl2O3/Al0.55Ga0.45N/GaNmetal-oxide-semiconductorhigh-electron-mobilitytransistors."AppliedPhysicsLetters104(15):153510. 2.Ma,X.H.*,W.W.Chen,B.Hou,K.Zhang,J.J.Zhu,J.C.Zhang,X.F.ZhengandY.Hao(2014)."InvestigationoftrapstatesunderSchottkycontactinGaN/AlGaN/AlN/GaNhighelectronmobilitytransistors."AppliedPhysicsLetters104(9):093504. 3.Zhu,J.J.,X.H.Ma*,B.Hou,W.W.ChenandY.Hao(2014)."InvestigationoftrapstatesinhighAlcontentAlGaN/GaNhighelectronmobilitytransistorsbyfrequencydependentcapacitanceandconductanceanalysis."AIPAdvances4(3):037108. 4.Chen,Y.H.,K.Zhang,M.Y.Cao,S.L.Zhao,J.C.Zhang,X.H.Ma*andY.Hao(2014)."StudyofsurfaceleakagecurrentofAlGaN/GaNhighelectronmobilitytransistors."AppliedPhysicsLetters104(15):153509. 5.Chen,W.W.,X.H.Ma*,B.Hou,S.L.Zhao,J.J.Zhu,J.C.ZhangandY.Hao(2014)."ReliabilityinvestigationofAlGaN/GaNhighelectronmobilitytransistorsunderreverse-biasstress."MicroelectronicsReliability54(6-7):1293-1298. 6.Zhao,S.L.,K.Zhang,W.Ha,Y.H.Chen,P.Zhang,J.C.Zhang,X.H.Ma*andY.Hao(2013)."TrapstatesinAlGaNchannelhigh-electron-mobilitytransistors."AppliedPhysicsLetters103(21):212106. 7.Xu,Z.,J.Y.Wang,Y.Liu,J.B.Cai,J.Q.Liu,M.J.Wang,M.Yu,B.Xie,W.G.Wu,X.H.MaandJ.C.Zhang(2013)."FabricationofNormallyOffAlGaN/GaNMOSFETUsingaSelf-TerminatingGateRecessEtchingTechnique."IEEEElectronDeviceLetters34(7):855-857. 8.Ma,X.H.*,J.J.Zhu,X.Y.Liao,T.Yue,W.W.ChenandY.Hao(2013)."QuantitativecharacterizationofinterfacetrapsinAl2O3/AlGaN/GaNmetal-oxide-semiconductorhigh-electron-mobilitytransistorsbydynamiccapacitancedispersiontechnique."AppliedPhysicsLetters103(3):033510. 9.Zhang,K.,J.S.Xue,M.Cao,L.Y.Yang,Y.H.Chen,J.C.Zhang,X.H.Ma*andY.Hao(2013)."TrapstatesinInAlN/AlN/GaN-baseddouble-channelhighelectronmobilitytransistors."JournalofAppliedPhysics113(17):174503. 10.Zhang,W.,Y.Zhang,W.Mao,X.H.Ma,J.C.ZhangandY.Hao(2013)."InfluenceoftheInterfaceAcceptor-LikeTrapsontheTransientResponseofAlGaN/GaNHEMTs."IEEEElectronDeviceLetters34(1):45-47.

学术兼职

主要学术兼职有中国电子学会可靠性分会委员、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心理事、陕西省宇航学会电子与控制专业副主任委员、西安电子科技大学第八届校学术委员会委员等。