个人简介
个人简介
赵胜雷，男，博士，西安电子科技大学副教授，华山学者菁英人才，具有十年GaN基与Si基电力电子器件领域研发与产业化经验。2010.08-2015.09在西安电子科技大学宽禁带半导体国防重点学科实验室攻读博士学位，师从郝跃院士，博士论文主要研究GaN基电力电子器件的击穿机理；2015.07-2016.07期间在中国电子科技集团公司第24研究所，从事Si基VDMOS功率器件产品开发；2016.08-2018.07期间加入华为技术有限公司2012实验室，作为技术骨干参与了5G通讯核心器件工程产品的研发；2018年7月以“华山学者菁英计划”人才引进形式进入西安电子科技大学工作，率属宽禁带半导体国防重点学科实验室与宽禁带半导体国家工程研究中心。注重产学研合作，协助多家公司解决产品关键问题。教学方面，开展了微电子学概论、本科生导学等课程的教学与助教工作。
先后主持了多项国家重点研发计划、国防科技创新特区项目与广东省重点领域研发计划的子课题，个人纵向主持经费300万元，作为技术骨干参与了国家科技重大专项、国家自然科学基金面上项目、陕西省科技统筹创新工程计划等项目10余项，负责研制出3款Si基抗辐射VDMOS功率器件产品，实现经济效益超2000万元。在IEEETPEL、IEEEEDL、APL等SCI期刊与国际会议发表论文50余篇，其中发表了中国在IEEETransactionsonPowerElectronics的首篇GaN论文，被半导体领域国际专业媒体CompoundSemiconductor专题报道一次，中国物理B亮点论文专题报道一次。多次在IEEEINEC、IWN、LSP等国际会议做邀请与口头报告。申请国家发明专利24项，其中实现专利转让5项，转让金额150余万元。
所获奖项包括：三次荣获国家奖学金，本科与博士校优秀毕业生，LamResearch论文奖，陕西省研究生创新成果一等奖，中国研究生电子设计竞赛西北赛区二等奖指导老师，三次荣获华为技术芯星奖，中国电科24所2015年度部门优秀员工，西安电子科技大学微电子学院2019年度优秀教师，英国伦敦期刊出版社QuarterlyFranklinMembership。
科学研究
目前研究团队承担的科研项目：
国家重点研发计划项目子课题，GaN基电子器件研究，2016-07至2020-12，50万元，在研，主持。
创新特区项目子课题，2019-01至2020-12，50万元，在研，主持。
广东省重点领域研发计划，低损耗高耐压硅基氮化镓双向阻断功率器件研究，2020-03至2024-02，200万，在研，主持。
中国电子科技集团公司，多款VDMOS开关器件产品，2015-07至2016-07，已结题，主持。
国家科技重大专项，整流器件，9994.78万元，2017-01至2020-12，在研，参与。
国家科技重大专项核高基项目，功率放大器芯片，2500万元，2019-01至2020-12，在研，参与。
国家自然科学基金委员会,面上项目，可双向阻断高性能增强型GaN基栅-漏复合场板功率器件研究，2016.01-2019.12，64万元，已结题，参与。
国家自然科学基金委员会,面上项目，基于FinFET结构的GaN基数字电路关键技术研究，2016-01至2019-12，65万元，已结题，参与。
国家自然科学基金委员会,面上项目，AlGaN/GaNMIS-HMET器件在质子辐射下的退化机理，寿命预测模型与加固技术研究，2015-01至2018-12，76万元，已结题，参与。
国家自然科学基金委员会,青年项目，基于AlGaN/GaNHEMT器件的剪切力下细胞膜电位测量方法与应用技术研究，2015-01至2017-12，28万元，已结题，参与。
国家自然科学基金委员会,青年项目，基薄势垒增强型AlGaN/GaNHEMT及可靠性研究，2015-01至2017-12，26万元，已结题，参与。
国家自然科学基金委员会,青年项目，氮化镓基浮空复合场板功率器件研究，2013-01至2015-12，30万元，已结题，参与。
国家申请与授权专利：
1.赵胜雷，朱丹，张进成，张雅超，张苇杭，张燕妮，郝跃。基于浮空场板结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法[P]。中国专利：201910801585.7。
2.赵胜雷，朱丹，张进成，张苇杭，边照科，张雅超，周弘，郝跃。基于多浮空场板结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法[P]。中国专利：201910842973.2。
3.赵胜雷，刘俊伟，张进成，陈大正，朱家铎，朱卫东，刘志宏，郝跃。基于阴阳极环形嵌套的大功率GaN准垂直肖特基二极管及其制备方法[P]。中国专利：201911169340.6。
4.赵胜雷，宋秀峰，张进成，朱丹，陈大正，张春福，张金风，毛维，郝跃。基于P+型保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法[P]。中国专利：201911097889.9。
5.赵胜雷，宋秀峰，张进成，张雅超，刘志宏，张春福，陈大正，郝跃。基于离子注入边缘终端技术的垂直AlN肖特基二极管及制作方法[P]。中国专利：201911258100.3。
6.赵胜雷，宋秀峰，张进成，边照科，刘厚佐，刘志宏，吴银河，郝跃。基于场板结构的垂直AlN肖特基二极管及制作方法[P]。中国专利：201911257553.4。
7.赵胜雷，宋秀峰，张进成，刘爽，吴银河，边照科，张苇杭，郝跃。基于SiO2电流阻挡层的氮化铝CAVET器件及制作方法[P]。中国专利：201911258378.0。
8.赵胜雷，刘爽，张进成，张苇杭，张雅超，许晟瑞，冯倩，张金风，郝跃。基于P型层的增强型双向阻断功率GaN基器件及制作方法[P]。中国专利：201911178522.X。
9.赵胜雷，刘爽，张进成，张苇杭，张雅超，张春福，周弘，毛维，郝跃。基于AlN/GaN超晶格沟道的双向阻断功率器件及制作方法[P]。中国专利：201911178761.5。
10.张进成，朱丹，赵胜雷，陈大正，张春福，王中旭，刘志宏，郝跃。基于多浮空场板与阴极场板复合结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法[P]。中国专利：201910842962.4。
11.张进成，刘俊伟，赵胜雷，刘志宏，张雅超，张苇杭，段小玲，许晟瑞，郝跃。大功率阴阳极环形叉指GaN准垂直pn结二极管及制备方法[P]。中国专利：201910993203.8。
12.张进成，宋秀峰，赵胜雷，朱丹，刘志宏，周弘，许晟瑞，冯倩，郝跃。基于F离子保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法[P]。中国专利：201911097918.1。
13.张进成，宋秀峰，赵胜雷，朱丹，张苇杭，张雅超，刘爽，刘俊伟，李仲扬，郝跃。基于凹槽型保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法[P]。中国专利：201911097995.7。
14.张进成，宋秀峰，赵胜雷，张苇杭，刘志宏，边照科，陈大正，郝跃。基于漂移区多层渐变掺杂的垂直AlN肖特基二极管及制作方法[P]。中国专利：201911258112.6。
15.刘爽，赵胜雷，张进成，刘志宏，宋秀峰，郝跃。基于沟槽栅垂直浅超结的氮化镓基MOSFET及制作方法[P]。中国专利：201911060261.1。
16.张进成，刘爽，赵胜雷，张雅超，刘志宏，陈大正，段小玲，薛军帅，郝跃。基于AlN势垒层的增强型双向阻断功率器件及制作方法[P]。中国专利：201911178733.3。
17.陈大正，张春福，吴艺聪，赵胜雷，张雅超，朱卫东，张进成，郝跃。阴阳极交替的大电流GaN肖特基二极管及制作方法[P]。中国专利：201910664067.8。
18.马晓华，郝跃，汤国平，陈伟伟，赵胜雷。二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法[P]。中国专利：ZL201310280220.X。
19.马晓华，陈伟伟，汤国平，郝跃，赵胜雷。基于刻蚀的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法[P]。中国专利：ZL201310280216.3。
20.马晓华，郝跃，汤国平，陈伟伟，赵胜雷。选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法[P]。中国专利：ZL201310280177.7。
21.郝跃，马晓华，汤国平，陈伟伟，赵胜雷。横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法[P]。中国专利：ZL201310277894.4。
22.马晓华，汤国平，郝跃，陈伟伟，赵胜雷。离子注入的一维电子气GaN基HEMT器件及制作方法[P]。中国专利：ZL201310279945.7。
23.郝跃，王党会，许晟瑞，张进成，张金风，毕志伟，毛维，马晓华，赵胜雷，薛晓咏，艾姗。a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法[P]。中国专利：ZL201110293524.0。
24.张进成，张琳霞，郝跃，马晓华，王冲，霍晶，党李莎，孟凡娜，姜腾，赵胜雷。基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法[P]。中国专利：ZL201210131041.5。
近期论文
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一作与通信论文：
ShengLeiZhao,BinHou,WeiWeiChen,MinHanMi,JiaXinZheng,JinChengZhang,XiaoHuaMa,andYueHao.AnalysisofthebreakdowncharacterizationmethodinGaN-basedHEMTs,IEEETransactionsonPowerElectronics,2016,31(2):1517-1527.（中国在该刊发表的首篇GaN论文）
YinheWu,JinchengZhang,*ShengleiZhao,*WeihangZhang,YachaoZhang,XiaolingDuan,JiaboChen,andYueHao.Morethan3000VreverseblockingSchottky-drainAlGaN-channelHEMTswith>230MW/cm2powerfigure-of-merit,IEEEElectronDeviceLetters,2019,40(11):1724-1727.
YachaoZhang,RuiGuo,ShengruiXu,JinchengZhang,*ShengleiZhao,*HaiyongWang,QiangHu,ChunfuZhang,andYueHao.High-performancehighelectronmobilitytransistorswithGaN/InGaNcompositechannelandsuperlatticebackbarrier,AppliedPhysicsLetters,2019,115:072105.
ShengLeiZhao,KaiZhang,WeiHa,YongHeChen,PengZhang,JinChengZhang,XiaoHuaMa,andYueHao.TrapstatesinAlGaNchannelhigh-electron-mobilitytransistors,AppliedPhysicsLetters,2013,103:212106.
ShuangLiu,XiufengSong,JinchengZhang,*ShengleiZhao,*JunLuo,HongZhang,YachaoZhang,WeihangZhang,HongZhou,ZhihongLiu,andYueHao.ComprehensiveDesignofDeviceParametersforGaNVerticalTrenchMOSFETs,IEEEAccess,2020,8:57126-57135.
ZhaokeBian,TaoZhang,JinchengZhang,*ShengleiZhao,*HongZhou,JunshuaiXue,XiaolingDuan,YachaoZhang,JiaboChen,KuiDang,JingNing,andYueHaoLeakagemechanismofquasi-verticalGaNSchottkybarrierdiodeswithultra-lowturn-onvoltage,AppliedPhysicsExpress,2019,12:084004.（CompoundSemiconductor专题报道）
ShengLeiZhao,JunShuaiXue,PengZhang,BinHou,JunLuo,XiaoJiaoFan,JinChengZhang,XiaoHuaMa,andYueHao.Enhancement-modeAl2O3/InAlN/AlN/GaNmetal–insulator–semiconductorhigh-electron-mobilitytransistorwithenhancedbreakdownvoltageusingfluoride-basedplasmatreatment,AppliedPhysicsExpress,2014,7:071002.
HongZhang,GuanjunChen,JinchengZhang,XuefengZheng,∗HongZhou,ShengleiZhao,∗andYueHao.Alow-temperaturesupercriticalnitridationtechnologyforenhancingtheperformanceofAlGaN/GaNHEMTs,TheJournalofSupercriticalFluids,2020,158:104746.
ZhaokeBian,KaiSu,JinchengZhang,∗ShengleiZhao,∗HongZhou,WeihangZhang,YachaoZhang,TaoZhang,JiaboChen,KuiDang,JingNingandYueHao.GammairradiationimpactonGaNquasi-verticalSchottkybarrierdiodes,JournalofPhysicsD:AppliedPhysics,2020,53:045103.
ZhongyangLi,LinDu,JiansheLou,YunJiang,KunshuWang,WeiWen,ZhizheWang,ShengleiZhao,*JinchengZhang,*andYueHao.High-breakdown-voltageAlGaNchannelhigh-electronmobilitytransistorswithreducedsurfacefieldtechnique,PhysicaStatusSolidi(a):ApplicationsandMaterialsScience,2020:1900793.
ShengLeiZhao,YuanWang,XiaoLeiYang,ZhiYuLin,ChongWang,JinChengZhang,XiaoHuaMa,andYueHao.ReverseblockingenhancementofdrainfieldplateinSchottky-drainAlGaN/GaNhigh-electronmobilitytransistors,ChinesePhysicsB,2014,23(9)：097305.
ShengLeiZhao,MinHanMi,BinHou,JunLuo,YiWang,YangDai,JinChengZhang,XiaoHuaMa,andYueHao.MechanismofimprovingforwardandreverseblockingvoltagesinAlGaN/GaNHEMTsbyusingSchottkydrain,ChinesePhysicsB,2014,23(10):107303.
ShengLeiZhao,WeiWeiChen,TongYue,YiWang,JunLuo,WeiMao,XiaoHuaMa,andYueHao.InfluenceofadrainfieldplateontheforwardblockingcharacteristicsofanAlGaN/GaNhighelectronmobilitytransistor,ChinesePhysicsB,2013,22(11):117307.
ShengLeiZhao,Zhi-ZheWang,Da-ZhengChen,Mao-JunWang,YangDai,Xiao-HuaMa,Jin-ChengZhang,andYueHao.1.8-kVcircularAlGaN/GaN/AlGaNdouble-heterostructurehighelectronmobilitytransistor,ChinesePhysicsB,2019,28(2):027301.
ZhongXuWang,LinDu,JunWeiLiu,YingWang,YunJiang,SiWeiJi,ShiWeiDong,WeiWeiChen,XiaoHongTan,JinLongLi,XiaoJunLi,ShengLeiZhao,*JinChengZhang,*andYueHao.BreakdownvoltageenhancementinGaNchannelandAlGaNchannelHEMTsusinglargegatemetalheight,ChinesePhyscisB,2020,29(2):027301.（中国物理B亮点论文专题报道）
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