个人简介
个人简介
汤晓燕，女，教授，博士生导师
1997年获得陕西师范大学物理专业学士学位
2002年获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业硕士学位。
2008年获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位。
2002年晋职讲师，2005年晋升副教授，2012年晋升教授。
2014年在澳大利亚格里菲斯大学的昆士兰微纳技术中心进行了为期一年的访学。
SiC是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件的极具潜力的宽带隙半导体材料。在航空、航天、国防、勘探、核能等领域有着重要的应用前景。采用SiC材料制造出的各种类型的功率器件，能在更高的温度和更大功率下工作，这是Si、GaAs器件所不及的。SiC功率器件可以使电力电子系统的功率、温度、频率和抗辐射能力倍增，效率、可靠性、体积和重量方面的性能也会大幅度改善，不仅在直流、交流输电，不间断电源，开关电源，工业控制等传统工业领域具有广泛应用，而且在太阳能、风能等新能源中也将具有广阔的应用前景。本人所在研究团队在SiC材料、器件及应用领域在国内高校处于领先地位。
本人主要从事宽禁带半导体材料表征，SiC器件的模拟、仿真和新型大功率器件研制与应用方面的研究工作。负责国家自然科学青年基金项目，国家自然科学面上基金项目，预研基金项目，高校基本科研业务费项目等，参与多项国家级科研项目，国家重大专项，教育部支撑计划项目，国家自然科学基金重点项目等。主要完成了对SiCMOSFET器件设计和模拟、SiCMOS界面物理研究，SiC大功率器件研制等多项研究工作，在国内外重要期刊发表论文二十余篇，SCI，EI检索十余篇。申请专利十余项，四项获得授权。
科学研究
目前研究团队承担的科研项目：
1、国家自然科学青年基金项目“新型高功率4H-SiCJBS二极管的研究”，项目负责人
2、国家自然科学面上基金项目“新型高效4H-SiCMOSFET的研究”，项目负责人
3、中央高校基本科研业务费项目““4H-SiC浮动结JBS二极管关键技术研究”，项目负责人
4、作为主要成员参与国家重大专项、教育部支撑计划项目、国家自然基金重点项目等。
荣誉获奖
2002年获得西安电子科技大学优秀硕士学位论文二等奖
2004年获得理学院青年教师讲课竞赛一等奖
2005年获得西安电子科技大学“学术十杰”荣誉称号
2005年获得西安电子科技大学“优秀博士学位论文基金”资助
招生要求
关于研究生招生的信息：
每年可招收硕士研究生3-5名，博士研究生1-2名。
研究领域
1、宽禁带半导体材料2、SiC大功率器件设计及应用3、SiC新型器件模型和仿真
近期论文
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在国内重要学术期刊、国际会议上发表学术论文数十篇，SCI、EI检索十余篇，
1.Yuan,Hao;Tang,Xiaoyan;Song,Qingwen;Zhang,Yimen;Zhang,Yuming;Yang,Fei;Niu,Yingxi:“Analyticalmodelsofon-resistanceandbreakdownvoltagefor4H-SiCfloatingjunctionSchottkybarrierdiodes”,Solid-StateElectronics,v103,January2015,p83-89,EI:201447237058,SCI:WOS:000346547400014
2.YuanHao,TangXiaoyan,ZhangYimen,ZhangYuming,LvHongliang,WangYuehu,ZhouYufei,SongQingwen:“Thefabricationof4H-SiCFloatingJunctionSBDs(FJ_SBDs)”,MaterialsScienceForum,Vols.778-780,2014,pp.812-815,EI:20141217488179
3.YuanHao,TangXiao-Yan,ZhangYi-Men,ZhangYu-Ming,SongQing-Wen,YangFei,andWuHao:“4H-SiCSchottkybarrierdiodeswithsemi-insulatingpolycrystallinesiliconfieldplatetermination”,ChinesePhysicsB,Vol.23,No.5,2014,pp.057102-1～057102-4,EI:20142117737747，SCI：000336081900070
4.杨帅，汤晓燕，张玉明，宋庆文，张义门：“电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管击穿电压的影响”，物理学报,Vol.63,No.20,2014,pp.208501-1～208501-6,EI:20145200366364,SCI:WOS:000344616500048
5.汤晓燕,戴小伟,张玉明,张义门:“套刻偏差对4H-SiC浮动结JBS二极管的影响研究”,物理学报,Vol.61,No.8,2012,pp.088501-1~088501-5,SCI:000303900900066
6.TangXiao-Yan,SongQing-Wen,ZhangYu-Ming,ZhangYi-Men,JiaRen-Xu,LüHong-Liang,WangYue-Hu:“Investigationof4H-SiCmetal-insulation-semiconductorstructurewithAl2O3/SiO2stackeddielectric”,ChinesePhysicsB,Vol.21,No.8,2012,pp.087701-1~087701-4,EI:20123315337498,SCI:000307501600078
7.汤晓燕，张玉明，张义门，Studyof4H-SiCEpitaxialn-ChannelMOSFET，ChinesephysicsB，2010，19(4)，：47204
8.汤晓燕，张玉明，张义门，4H-SiCn-MOSFET新型SiC反型层迁移率模型，西安电子科技大学学报，2011.38(1):42-46
9.汤晓燕，张义门，张玉明：“SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压”，物理学报，Vol.58,No.1,2009,PP.494～497,SCI:UTISI:000262834300077
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