个人简介
个人简介
教育经历
1.2010/09－2015/07：北京大学，物理学院凝聚态物理专业，博士（直接攻读博士学位），
2.2006/09－2010/07：南京大学，物理系微电子专业，本科
工作经历
1.2015/08－至今：广州大学，物理与电子工程学院，讲师
在半导体材料生长与器件制备方面拥有8年的研究经验，主攻方向为新型半导体材料与器件。
担任主要课程
本科生课程：大学物理、大学物理实验
主持课题
1.国家自然科学基金青年基金项目，61604045，应变对薄层过渡金属硫族化合物谷性质的影响，2017/01-2019/12，19万元，在研，主持；
2.广州大学新进“优秀青年博士”培养计划，应变对薄层过渡金属硫族化合物谷性质的影响，2017/01-2019/12，19万元，在研，主持；
参与课题
1.国家自然科学基金面上项目，61574006，薄层过渡金属硫族化合物自旋和谷性质的研究，2016/01-2019/12，68万元，在研，参加；
2.国家自然科学基金青年基金项目，61504005，AlGaN深紫外发光材料的偏振特性研究，2016/01-2016/12,8万元，已结题，参加；
3.国家自然科学基金面上项目，61376095，应变对CaN基半导体异质结构输运和自旋性质的影响，2014/01-2017/12，80万元，已结题，参加；
4.国家自然科学基金面上项目，11174008，III族氮化物半导体异质结构中的自旋轨道耦合效应及其调控，2011/01-2014/12，75万元，已结题，参加。
近期论文
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1.ShanZhang,NingTang,WeifengJin,JunxiDuan,XinHe,XinRong,ChenguangHe,LishengZhang,XudongQin,LipingYou,LunDai,YonghaiChen,WeikunGe,andBoShen，GernerationofRashbaSpin-orbitcouplinginCdSeNanowirebyionicliquidgate，Nanoletters201515,1152.
2.FuhongMei,ShanZhang,NingTang,JunxiDuan,FujunXu,YonghaiChen,WeikunGe,BoShen,SpintransportstudyinRashbaspin-orbitcouplingsystem,Scientificreports2014,4,4030(共同第一作者).
3.NingTang,ShanZhang,JunxiDuan,XinHe,LunDai，WeiKunGe,BoShen,CircularPhotogalvaniceffectinCdSeNanowiresatRoomTemperature,28thInternationalConferenceonIndiumPhosphide&RelatedMaterials(IPRM)and43rdInternationalSymposiumonCompoundSemiconductors(ISCS),2016.
4.ChenguangHe,WeiZhao,KangZhang,LongfeiHe,HualongWu,NingyangLiu,ShanZhang,XiaoyanLiuandZhitaoChen."High-QualityGanEpilayersAchievedbyFacet-ControlledEpitaxialLateralOvergrowthonSputteredAin/PssTemplates."AcsAppliedMaterials&Interfaces9,no.49(2017):43386-43392.
5.ChenguangHe,ZhixinQin,FujunXu,LishengZhang,JiamingWang,MengjunHou,ShanZhang,XinqiangWang,WeikunGeandBoShen."EffectofStressontheAlCompositionEvolutioninAlganGrownUsingMetalOrganicVaporPhaseEpitaxy."AppliedPhysicsExpress9,no.5(2016).
6.ChenguangHe,ZhixinQin,FujunXu,LishengZhang,JiamingWang,MengjunHou,ShanZhang,XinqiangWang,WeikunGeandBoShen."MechanismofStress-DrivenCompositionEvolutionDuringHetero-EpitaxyinaTernaryAlganSystem."ScientificReports6,(2016).
7.ChenguangHe,ZhixinQin,FujunXu,LishengZhang,MingxingWang,MengjunHou,WeiweiGuo,ShanZhang,XinqiangWangandBoShen."GrowthofHighQualityN-Al0.5ga0.5nThickFilmsbyMocvd."MaterialsLetters176,(2016):298-300.
8.ChenguangHe,ZhixinQin,FujunXu,MengjunHou,ShanZhang,LishengZhang,XinqiangWang,WeikunGe,andBoShen,“FreeandboundexcitoniceffectsinAl0.5Ga0.5N/Al0.35Ga0.65NMQWswithdifferentSi-dopinglevelsinthewelllayers”,ScientificReports5,13046(2015)
9.JunxiDuan,NingTang,XinHe,YuanYan,ShanZhang,XudongQin,XinqiangWang,XuelinYang,FujunXu,YonghaiChen,WeikunGe,BoShen,IdentificationofHelicity-DependentPhotocurrentsfromTopologicalSurfaceStatesinBi2Se3GatedbyIonicLiquid,Scientificreports2014,4,4889(2014).
10.ChunmingYin,HongtaoYuan,XinqiangWang,ShitaoLiu,ShanZhang,NingTang,FujunXu,ZhuoyuChen,ShimotaniHidekazu,IwasaYoshihiro,TunableSurfaceElectronSpinSplittingwithElectricDouble-LayerTransistorsBasedonInN,Nanoletters2013,13,2024-2029.
11.唐宁,段俊熙,张姗,许福军,王新强,沈波,《III族氮化物半导体异质结构中载流子的量子输运和自旋性质》，《中国科学:物理学力学天文学》2013,10:1176-87。
12.FuhongMei,NingTang,XinqiangWang,JunxiDuan,ShanZhang,YonghaiChen,WeikunGe,BoShen,Detectionofspin-orbitcouplingofsurfaceelectronlayerviareciprocalspinHalleffectinInNfilms,Appliedphysicsletters2012,101:13,132404.
13.ChunmingYin,,NingTang,ShanZhang,JunxiDuan,FujunXu,JieSong,FuhongMei,XinqiangWang,BoShen,YonghaiChen,ObservationofthephotoinducedanomalousHalleffectinGaN-basedheterostructures,Appliedphysicsletters2011,98:12,122104.
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