个人简介
赵旺，男，1982年生，理学博士，辽宁工程技术大学讲师。作为主要参与人参加了”973”项目(Ⅱ族氧化物半导体光电子器件的基础研究No.2011CB302000）、国家自然科学基金项目(ZnO基垂直腔面发射激光器制备及其关键科学问题研究，No.61076045；基于聚四氟乙烯的有机/聚合物太阳电池研究，No.51073065；p型ZnNiO材料的MOCVD法制备、调制与掺杂问题研究，No.61006006；ZnO衬底上低温MOCVD生长GaN单晶薄膜关键科学问题研究，No.60976010；基于纳米氧化物电极和钠快离子导体的高性能VOC传感器的特性研究，No.61240014)等项目的研究工作。
联合发表学术论文20余篇，其中SCI和EI期刊论文10余篇。
研究领域
氧化物半导体光电子材料、器件工艺、半导体气体传感器
近期论文
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[1]ZhaoWang,DongXin,ZhaoLong,etal.ZnO-BasedTransparentThin-FilmTransistorswithMgOGateDielectricGrownbyin-situMOCVD,ChinesePhysicsLetters,27,(12):128504,2010.
[2]WangZhao,LongZhao,ZhifengShi,etal.Electroluminescenceofthep-ZnO:As/n-ZnOLEDsgrownonITOglasscoatedwithGaAsinterlayer,AppliedSurfaceScience,257(10):4685–4688,2011.
[3]Guo-TongDu,WangZhao,Guo-GuangWu,etal.Electricallypumpedlasingfromp-ZnO/n-GaNheterojunctiondiodes,AppliedPhysicsLetters,101:053503,2012.
[4]WangZhao,ZhifengShi,LongZhaoandGuotongDu*,ZnO-basedthin-filmtransistorsfabricatedbyMOCVD,The6thInternationalWorkshoponZincOxideandRelatedMaterials,p157，Changchun,August5-7,2010.
[5]WangZhao,XiaochuanXia,XinDong,BaolinZhang,GuotongDu*,CharacteristicsofZnOThin-FilmTransistorswithMgOGateinsulators”,2010InternationalNano-OptoelectronicsWorkshop,p304,BeijingandChangchun,August1-15,2010.
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