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研究方向

以硅基半导体和宽禁带氧化物半导体薄膜、纳米结构与稀土等元素的掺杂为研究对象,采用等离子体技术及CVD等低温异质结晶生长技术,MBE等高精度薄膜制备术为途径,开发新功能半导体光电,磁材料及其纳米构造的自组装集成技术,揭示这些新奇材料在纳米结构中光、电子物理性质和物理内涵。应用在高效率紫外、深紫外及红外光电探测和发光二极管(LED)器件,新型高密度大容量耐久性磁性存储器件,高效率低成本薄膜太阳能电池及功率器件;探索发展硅烯等新兴二维奇特材料的大面积可控制备,及其在下一代电子器件中的应用。

 
主要研究内容包括:

【1】硅基材料纳米结构的可控制备及其在电子与光电子器件的应用
【2】等离子体气相淀积系统中半导体纳米结构的生长机理和调控理论
【3】新一代高性能光伏技术,3D构架薄膜太阳能电池
【4】半导体中的缺陷
【5】半导体及低维材料的光电性能研究;应变及掺杂对材料光电性能影响的研究
【6】半导体薄膜材料的微结构研究