李海鸥 - 桂林电子科技大学

个人简介

个人简介湖南娄底人，工学博士，教授，博士生导师，教育部“新世纪优秀人才支持计划”人选、广西“新世纪十百千人才工程第二层次”人选、广西“杰出青年基金”获得者、入选桂林电子科技大学首届“英才计划”。1997年7月毕业于湖南大学电气系，专业电子工程。2003年4月毕业于湖南大学信息与工程学院，专业电工理论与新技术，获工学硕士学位。2006年5月毕业于中国科学院微电子研究所，专业微电子学与固体电子学，获工学博士学位。2006.6~2010.12期间在香港科技大学首席教授KeiMayLuo实验室（PTC）做博士后（第一站）；2011.12-2015.5期间中国电子科技集团58所于宗光首席专家团队做博士后（第二站）；2014.9-2015.9美国普渡大学Prof.Ye团队做访问学者。2010年12月至今，任教桂林电子科技大学信息与通信学院。近五年主持国家/省部级等项目19项，其中包括国家自然科学基金面上项目两项、广西杰出青年自然科学基金1项、教育部新世纪优秀人才项目1项、广西自然基金（重点）1项等，科研总经费约600多万。在国内外学术刊物上发表研究论文50多篇，以第一作者或通讯作者发表SCI检索论文16篇，包括微电子学顶级刊物IEEEElectronDeviceLetters发表论文3篇。授权国家发明专利8项。出版专著《射频/微波功率新型器件导论》1部（第二），获得广西自然科学二等奖1项（排名第一），中国电子科技集团技术发明二等奖1项（排名第三）。教育背景 1997.7毕业于湖南大学，电子工程专业，大学； 2003.4毕业于湖南大学，电工理论与新技术，硕士； 2006.6毕业于中科院微电子研究所，微电子学与固体电子学，博士； 2006-6-2010.12香港科技大学，电子与计算机工程系，博士后（第一站）； 2011.12-2014.12中国电子科技集团58所，博士后（第二站）； 2014.9-2015.9美国普渡大学，访问学者工作经历 1、1997.09–2000.07深圳华为技术有限公司技术员； 2、2006.06–2010.12香港科技大学电子与计算机工程系博士后（第一站） 3、2010.12–至今桂林电子科技大学信息与通信学院教授 4、2011.12–2015.01中国电子科技集团58所博士后（第二站）主要荣誉 1、2006年入选“香港内地人才输入计划”； 2、2013年教育部“新世纪优秀人才支持计划”入选者； 3、2013年广西“杰出青年基金”获得者； 4、2014年为桂林电子科技大学学术带头人； 5、2015年广西第十八批“新世纪十百千人才工程”第二层次人选； 6、2017年桂林电子科技大学首届“英才计划”人选； 7、2018年广西区优秀专家人选。学术著作（1）黄伟，李海鸥，于宗光，吴笑峰，首照宇，射频/微波功率新型器件导论，复旦大学，200千字，2013 【1】李海鸥(1/15),化合物半导体微纳器件与集成电路研究,广西区人民政府,广西自然科学奖,二等奖,2017(李海鸥,蔡勇,高喜,李琦,陈永和) 【2】李海鸥(3/6),可融合GaN/Si功率集成与高频数字化节能关键技术,中国电子科技集团,中国电子科技集团技术发明奖,二等奖,2015(黄伟,于宗光,李海鸥,王胜，万清，胡南中) 科研项目 1.广西自然科学基金项目（重点）,常关型GaN功率器件制备和模型研究(2016GXNSFDA380021,2016.09-2020.08 2.国家自然科学基金面上项目，61474031，硅衬底上III-V族异质结材料生长机制和HEMT器件制备，2015/01-2018/12，89万元，在研，主持 3.广西第十八批“新世纪十百千人才工程”第二层次人选，2015年，电子科学与技术 4.国家自然科学基金面上项目，61274077，硅基GaNHEMTs超级结器件及其模型研究，2013/01-2016/12，86万元，已结题，主持 5.中国博士后科学基金委（特别资助）,硅基高迁移率III-V族半导体材料和器件研究（2013T60566）,2013.06-2014.056.教育部“新世纪优秀人才支持计划”获得者，2013年，电子科学与技术知识产权【1】李海鸥，吉宪，李琦，李跃，黄伟，马磊，首照宇，吴笑峰，李思敏,一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法,2017.6.11,中国,ZL201510058652.5，中国国家知识产权局【2】李海鸥，吉宪，李琦，黄伟，马磊，首照宇，吴笑峰，李思敏，一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法,2017.5.10,中国,ZL201510057805.4，中国国家知识产权局【3】李海鸥，周佳辉，闭斌双，林子曾,金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件及制备方法,2017.2.15,中国,ZL201410283229.0，中国国家知识产权局【4】李海鸥,李琦，翟江辉，唐宁，蒋行国，李跃，线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件,2017.8.22,中国,ZL201410564342.6，中国国家知识产权局【5】李琦，李海鸥，翟江辉，唐宁，蒋行国，李跃，等间距固定电荷区SOI耐压结构及SOI功率器件，2014.10.22，中国，ZL201410564342.6，中国国家知识产权局【6】李海鸥，黄伟，吴笑峰，李思敏，首照宇，于宗光，李琦，胡仕刚，邓洪高,基于超级结的氮化镓HEMT器件及制备方法,2015.7.1,中国,ZL201310021186.4

研究领域

研究领域：微波集成电路设计、新型微波器件、功率器件、微波光子、薄膜器件

近期论文

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（1）HaiouLi（李海鸥）,YueLi,GongliXiao,XiGao,QiLi,YongheChen,TaoFu,TangyouSun,FabiZhang*,andNaisenYu*,SimpleFabricationZnO/β-Ga2O3Core/ShellNanorodArraysandTheirPhotoresponseProperties,OpticalMaterialsExpress,2018,8(4):794-803 （2）XiGao,LeenaSingh,WanliYang,JingjingZheng,HaiouLi*（李海鸥）&WeiliZhang,Bandwidthbroadeningofalinearpolarizationconverterbynear-fieldmetasurfacecoupling,ScientificReports,2017,7(1):1-8 （3）XIGAO,WANLIYANG,WEIPINGCAO,MINGCHEN,YANNANJIANG,XINHUAYU,ANDHAIOULI*（李海鸥）,Bandwidthbroadeningofagraphene-basedcircularpolarizationconverterbyphasecompensation,OPTICSEXPRESS,2017,25(20):23945-23954 （4）WeihuaKang,XiaodongZhang,XianJi,YongCai,JiahuiZhou,WenjunXu,QiLi,GongliXiao,BaoshunZhangandHaiouLi*（李海鸥）,Fabricationof45-nmhighIncomponentmetamorphicIn0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4AscompositechannelHEMTsonGaAssubstrates,ElectronicsLetters,2016,52(4):318-319 （5）Xiao-fengWu，Shi-gangHu，H.O.Li*（李海鸥）,JinLi，Zai-fangXi，Ying-luHu,AKindofCoatingMethodofGaN-MOCVDGraphiteSusceptor，Journalofnanomaterials,2015,24(3):037203-037206 （6）WUXiaoFeng，LIUHongXia，H.O.Li*（李海鸥），LIQi，HUShiGang，XIZaiFang，ZHAOJin,Fabricationof150-nmAl0.48In0.52As/Ga0.47In0.53AsHEMTsonGaAssubstrates，SCIENCECHINAPhysics,Mechanics&Astronomy,2012,55(12):2389-2391 （7）MingLi,H.O.Li（李海鸥）,ChakWahTang,andKeiMayLau*,S.LawrenceZipursky*,Fabricationof100-nmMetermorphicAlInAs/GaInAsHEMTsonSiSubstratebyMOCVD,IEEEELECTRONDEVICELETTERS,2012,33(4):498-500 （8）HaiOuLI（李海鸥）,HUANGWei*,LIQiLISiMin,JIANGXi,TANGChakWah,LAUKeiMay,Fabricationof0.3-μmT-gateMetamorphicAlInAs/GaInAsHEMTsonSiliconSubstratesUsingMetalOrganicChemicalVaporDeposition,SCIENCECHINAPhysics,Mechanics&Astronomy,2012,55(4):644-648 （9）H.O.Li（李海鸥）,ZhihongFeng，C.W.Tang,K.J.Chen,andK.M.Lau*,Fabricationof150-nmT-GateMetamorphicAlInAs/GaInAsHEMTsonGaAsSubstratesbyMOCVD,IEEEELECTRONDEVICELETTERS,2011,32(9):1224-1226 （10）H.O.Li（李海鸥）,C.W.Tang,K.J.Chen,andK.M.Lau*,MetamorphicAlInAs/GaInAsHEMTsonGaAssubstratesbyMOCVD,IEEEELECTRONDEVICELETTERS,2008,29(6):561-564