陈星弼 - 电子科技大学 - 电子科学与工程学院

个人简介

陈星弼(1931.1~ )，男，生于上海，祖籍浙江省浦江县，国际著名微电子学家，被誉为“中国功率器件领路人”。中国科学院院士，九三学社社员，教授、博士生导师。 1952年，陈星弼毕业于国立同济大学电机系，先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。1956年开始在电子科技大学任教。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。曾先后在美国俄亥俄州立大学、加州大学伯克利分校作访问学者及研究工程师，被聘为加拿大多伦多大学客座教授，英国威尔斯大学天鹅海分校高级客座教授。1999年当选中国科学院院士。曾任电子工业部第十三所专用集成电路国家级重点实验室学术委员会主任委员、四川省科学技术顾问团顾问等等。陈星弼是我国第一批学习及从事半导体科技的人员之一，是电子部“半导体器件与微电子学”专业第一个博士生导师且得到第一个博士点。他是国际半导体界著名的超结结构（Super Junction）的发明人，也是国际上功率器件的结终端理论的集大成者。

研究领域

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[1] Xingbi Chen, Mingmin Huang. A vertical power MOSFET with an interdigitated drift region using high-k insulator[J]. IEEE Tran. Electron Devices, 2012, 59(9): 2430-2437 [3] 陈星弼. 由半导体微电子技术引起的第一次电子革命及第二次电子革命[C]. 第十六届全国电源技术年会, 2005, 32-36 [4] Xingbi Chen, Hongqiang Yang, Min Cheng. New silicon limit of power devices[J]. Solid-State Electronics, 2002, 46: 1185-1192 [5] Xingbi Chen, Xuefeng Fan. Optimum VLD makes SPIC better and cheaper[C]. Proc. ICSICT, 2001, 104-108 [6] Xingbi Chen, K. O. Sin. Optimization of the specific on-resistance of the COOLMOS[J]*. IEEE Trans. Electron Devices, 2001, 48(2): 344-348 [7] Xingbi Chen. Theory of the switching response of CBMOST[J]. Chinese Journal of Electronics, 2001, 10(1): 1-6 [8] 陈星弼, 蒲慕名, 张瑞敏, 车俊, 尚选玉, 于庆成, 杜彭. 我的创新与财富观[J]. 中国青年科技, 2001, (2): 32-38 [9] 陈星弼. 第一次电子革命及第二次电子革命[J]. 微型电脑应用, 2000, 16(8): 5-9 [10] Xingbi Chen, Xin Wang, K. O. Sin. A novel high-voltage sustaining structure with buried oppositely doped regions[J]. IEEE Trans. Electron Devices, 2000, 47(6): 1280-1285 [11] 陈星弼. 科技为本创新为魂——由半导体技术引起的重大革命[J]. 世界电子元器件, 2000, (6): 7-11 [12] 陈星弼. 由半导体微电子技术引起的第一次电子革命及第二次电子革命[J]. 电子科技大学学报社科版, 2000, 2(2): 20-25 [13] Xingbi Chen. Optimum design parameters for different patterns of CB-structure[J]. Chinese Journal of Electronics, 2000, 9(1): 6-11 [14] 陈星弼, 叶星宁, 唐茂成, 王新, 苏秀娣, 单成国. 新型CMOS全兼容二极管[J]. 电子科技大学学报, 1999 [15] Xingbi Chen. Breakthrough to the silicon limit of power devices (invited Paper)[J]. Proc. ICSICT, 1998, 141-144 [16] 陈星弼, 叶永萌. 对高等学校人才培养的思考和看法[J]. 中国电子学会教育分会主办, 1998, 13-15 [17] Xingbi Chen, P. A. Mawby, K. Board, C. A. T. Salama. Theory of a novel voltage sustaining layer for power devices[J]. Microelectronics Journal, 1998, 29(12): 1055-1011 [18] Xingbi Chen. Theory of a novel voltage sustaining (CB) layer for power devices[J]. Chinese Journal of Electronics, 1998, 7(3): 211-216 [19] 陈星弼. 用于灵巧功率集成电路的创新型横向器件[C]. 第二届中国西部地区微电子技术年会论文集(四川、重庆、广西、甘肃、云南六地市), 1998, 1-7 [20] Xingbi Chen, K. O. Sin, Min Zhang, Bin Wang. An analytical model for electric field distribution of positively beveled abrupt PN junctions[J]. IEEE Trans. Electron Devices, 1997, 44(5): 869-873 [21] Xingbi Chen, P. A. Mawby, C. A. T. Salama, M. S. Towers, J. Zeng, K. Board. Lateral high-voltage devices using an optimized variational lateral doping[J]. Int. J. Electronics, 1996, 80(3): 449-459